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CGA2B2C0G1H040C050BD 发布时间 时间:2025/6/6 18:13:12 查看 阅读:5

CGA2B2C0G1H040C050BD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺,在保证高效能的同时具备出色的可靠性和稳定性。
  其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能,适合需要高效率和高功率密度的设计方案。

参数

型号:CGA2B2C0G1H040C050BD
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(VDS):650V
  最大栅极源极电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):40A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):300W
  工作温度范围(TJ):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK

特性

CGA2B2C0G1H040C050BD 属于新一代功率 MOSFET 器件,具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),可以有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷 Qg,有助于降低开关损耗。
  3. 具备良好的热特性和电气特性,能够适应各种恶劣的工作环境。
  4. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  5. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端条件下稳定运行。
  6. 优化的封装设计,便于散热和安装,同时提高了功率密度。

应用

这款功率 MOSFET 主要适用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动器,用于工业自动化和家用电器中的无刷直流电机控制。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  4. 各类电力转换系统,例如 UPS(不间断电源)和电池充电器。
  5. 电动汽车和混合动力汽车中的牵引逆变器及辅助电路。
  6. 高压大电流开关应用,如固态继电器和负载切换模块。

替代型号

IRFP260N
  FDP18N65
  STW19NM65
  IXYS IXGH65N40T2

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CGA2B2C0G1H040C050BD参数

  • 现有数量4,536现货
  • 价格1 : ¥0.95000剪切带(CT)10,000 : ¥0.14453卷带(TR)
  • 系列CGA
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容4 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性环氧树脂封装
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC,环氧
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-