CGA2B2C0G1H040C050BD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺,在保证高效能的同时具备出色的可靠性和稳定性。
其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和良好的热性能,适合需要高效率和高功率密度的设计方案。
型号:CGA2B2C0G1H040C050BD
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):650V
最大栅极源极电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):40A
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ
总功耗(Ptot):300W
工作温度范围(TJ):-55℃ 至 +175℃
封装形式:D2PAK
CGA2B2C0G1H040C050BD 属于新一代功率 MOSFET 器件,具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可以有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷 Qg,有助于降低开关损耗。
3. 具备良好的热特性和电气特性,能够适应各种恶劣的工作环境。
4. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围,使其能够在极端条件下稳定运行。
6. 优化的封装设计,便于散热和安装,同时提高了功率密度。
这款功率 MOSFET 主要适用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动器,用于工业自动化和家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
4. 各类电力转换系统,例如 UPS(不间断电源)和电池充电器。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的牵引逆变器及辅助电路。
6. 高压大电流开关应用,如固态继电器和负载切换模块。
IRFP260N
FDP18N65
STW19NM65
IXYS IXGH65N40T2