类型：GaN 功率晶体管
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　功率耗散（Ptot）：140W
　　输入电容（Ciss）：1000pF
　　开关频率：最高可达 5MHz
　　

CGA1518ZTR7 采用先进的 GaN-on-SiC 技术，具备出色的导热性能和高温稳定性。其导通电阻仅为 150mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。由于 GaN 材料本身的特性，该器件具有非常快的开关速度，适用于高频开关应用，显著减小功率转换器的体积和重量。
　　此外，该晶体管的输入电容较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗。其高击穿电压（650V）和高电流承载能力（18A）使其适用于中高功率级别的转换器设计。器件的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件支持并联使用，以满足更高功率需求的设计。其高可靠性和耐用性使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。Infineon 提供完整的应用支持文档和设计工具，便于工程师快速完成系统集成。

CGA1518ZTR7 主要用于高效能电源转换系统，如 65W 至 300W 的高功率密度 AC-DC 电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统。其高频开关能力使其适用于 LLC 谐振转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）电路等新兴拓扑结构。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、储能系统以及5G基站电源等新兴应用领域，满足高效率、高密度和高可靠性的需求。

GS66508T, EPC2045, LMG5200, CGA1517ZTR7