CG82NM10SLGXX 时间：2025/5/29 3:42:04 阅读：13

CG82NM10SLGXX 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、充电器、适配器以及其他需要高效能表现的应用场景。
　　该型号属于氮化镓晶体管系列，其核心优势在于提升功率转换效率的同时，显著减少热损耗和系统体积。

参数

类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：10mΩ
　　连续漏极电流(Id)：40A
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247-3

特性

CG82NM10SLGXX 具有卓越的电气性能，包括但不限于以下特点：
　　1. 高效开关能力，可实现高达1MHz以上的开关频率。
　　2. 极低的导通电阻，有助于降低功耗。
　　3. 减少寄生电感影响，优化高频下的稳定性。
　　4. 内置静电防护(ESD)保护功能，增强器件可靠性。
　　5. 耐高温性能出色，支持工业级温度范围操作。
　　6. 封装牢固可靠，适合多种安装方式。

应用

这款氮化镓功率晶体管广泛应用于各种高要求的电子设备中，主要应用场景包括：
　　1. 开关电源(SMPS)及AC-DC转换器。
　　2. USB-PD快充模块。
　　3. 无线充电发射端。
　　4. 电机驱动控制器。
　　5. 新能源汽车车载充电机(OBC)。
　　6. 数据中心服务器供电单元。
　　其高频与高效的特点使其成为现代电力电子设计的理想选择。