CG82NM10 时间：2025/10/29 23:51:44 阅读：7

CG82NM10是一款由华润微电子推出的N沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及开关电源等功率控制场景。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于中高功率密度设计。CG82NM10封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK）等常见功率封装，便于散热处理与PCB布局安装。作为一款标称电压为100V、连续漏极电流可达8A以上的MOSFET，它在消费类电子产品、工业控制设备及绿色能源系统中均有广泛应用。其设计兼顾效率与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，是现代电力电子系统中常用的功率开关元件之一。

参数

型号：CG82NM10
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：8 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：32 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.085 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 0.105 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：约 350 pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220 / TO-252 (DPAK)

特性

CG82NM10采用高性能沟槽栅结构技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体系统效率。其典型的RDS(on)仅为85mΩ（在VGS=10V条件下），使得在大电流工作状态下发热更小，有助于提高系统的可靠性和寿命。此外，该器件具有优异的开关特性，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这有助于减少驱动电路的功耗并加快开关响应速度，特别适合高频开关应用如同步整流和PWM控制电路。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境（最高结温达150°C）下持续运行，满足工业级应用需求。其栅极氧化层经过优化设计，可承受±20V的栅源电压，增强了抗静电（ESD）能力和抗干扰性能，降低因误操作或瞬态电压导致损坏的风险。同时，器件内部未集成快恢复体二极管，但在多数拓扑结构中可通过外接二极管实现所需功能。
　　CG82NM10还具备优良的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或感性负载关断时提供一定的自我保护机制，防止器件立即击穿。这种鲁棒性使其适用于电机驱动、逆变电源等存在较大电磁干扰和电压波动的应用场合。通过合理的PCB布局与散热设计，可以充分发挥其功率处理能力，确保长期稳定运行。

应用

CG82NM10常用于各类中功率开关电源系统中，例如AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、笔记本电脑电源模块等，作为主开关管或同步整流管使用。在DC-DC降压或升压变换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率，减少能量损耗，尤其适用于基于Buck、Boost或Buck-Boost拓扑结构的设计。
　　在工业自动化领域，该器件可用于继电器驱动、电磁阀控制、小型电机驱动电路中，作为功率开关元件实现负载的通断控制。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热性能，也适用于电动工具、无人机电源管理系统、太阳能充电控制器等便携式或离网供电设备。
　　此外，CG82NM10还可用于电池保护电路、电子负载、逆变器H桥低端开关等应用场景。其成熟的封装形式（如TO-220）便于手工焊接与维修，适合中小批量生产和教学实验使用。结合合适的驱动电路，能够实现高效、可靠的功率控制功能，是性价比高的通用型功率MOSFET选择之一。