类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：18A
　　连续漏极电流（Id）@100℃：12A
　　脉冲漏极电流（Idm）：72A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：54W
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：9.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：12.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1380pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：195pF @ Vds=50V
　　反向传输电容（Crss）：35pF @ Vds=50V
　　二极管正向电压（Vsd）：1.2V
　　栅极电荷（Qg）：27nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：38ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　下降时间（tf）：22ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃

CG82NM10 QMJN ES采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备低导通电阻与高开关速度的双重优势，从而显著降低导通损耗和开关损耗，提高系统整体能效。其典型导通电阻在Vgs=10V时仅为9.5mΩ，即便在较低驱动电压下仍能保持良好的导通特性，适用于多种驱动条件下的应用场景。该器件具有较高的电流承载能力，在25℃环境下可承受18A的连续漏极电流，即使在高温工作条件下也能保持稳定的性能输出。得益于优化的晶圆结构设计，其栅极电荷（Qg）低至27nC，有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关响应速度，特别适合高频开关电源应用。
　　该MOSFET具备优良的热稳定性与长期可靠性，经过严格的高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）及温度循环测试验证，确保在恶劣工况下仍能安全运行。器件的雪崩能量耐受能力较强，能够在瞬态过压情况下提供一定程度的自我保护。此外，其封装形式DFN3x3-8L不仅体积小巧，还通过底部散热焊盘有效提升热传导效率，使芯片结温更易控制，延长使用寿命。该封装符合JEDEC标准，支持自动化贴片生产，便于大规模制造集成。
　　从应用兼容性角度看，CG82NM10 QMJN ES在电气参数上与国际主流厂商如ON Semiconductor、Infineon、Alpha & Omega等公司的同类产品具有较高匹配度，可用于替代部分进口型号，助力国产化替代进程。其稳定的供货渠道和成本优势使其在智能家居、电动工具、LED照明电源等领域得到广泛应用。总体而言，该器件在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中压大电流功率开关应用中的理想选择之一。

CG82NM10 QMJN ES广泛应用于各类需要高效直流开关功能的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC适配器、充电器和机顶盒电源模块中作为主开关管或同步整流管使用；在DC-DC降压或升压转换器中，因其低Rds(on)和快速开关特性，可有效提升转换效率并减少发热；在电机驱动电路中，可用于H桥或半桥拓扑结构中作为功率开关元件，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换；在电池管理系统（BMS）或负载开关电路中，该器件可实现对负载的软启动与过流保护功能，防止浪涌电流冲击。
　　此外，该MOSFET也适用于LED恒流驱动电源、光伏逆变器辅助电源、工业控制板卡上的继电器驱动替代方案，以及各类嵌入式系统的电源管理单元。由于其封装尺寸小且散热性能良好，特别适合用于空间受限但功率密度要求较高的便携式设备，如移动电源、无线路由器、智能音箱等消费类电子产品。在通信设备中，可用于电源模块中的热插拔控制与冗余电源切换。综上所述，CG82NM10 QMJN ES凭借其宽泛的应用适应性和出色的电气性能，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

[
　　 "CG2NM60, CG3400, CG3401, CG3404"
　　]