类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：90A
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（最大）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

CG590LTR 具备多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 可承受高达 90A 的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。其漏源电压为 55V，适用于中低压功率应用，如电池管理系统、DC-DC 转换器和负载开关。此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-252 封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　CG590LTR 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的 Vgs 输入，适应多种驱动电路设计。该 MOSFET 的开关速度快，能够支持高频开关操作，减少开关损耗并提升系统响应速度。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高整体系统的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，CG590LTR 采用了先进的沟槽栅结构和平面技术，优化了载流子分布，从而进一步降低导通电阻并提升器件的耐久性。该器件符合 RoHS 环保标准，适合用于环保型电子产品设计。

CG590LTR 主要应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器以及负载开关等。由于其高电流能力和低导通电阻，它在高效率电源转换系统中表现出色。例如，在同步整流电路中，CG590LTR 可用于替代传统二极管，显著提高整流效率。在电机控制应用中，该器件可作为 H 桥结构中的主开关，提供快速响应和稳定的输出。此外，该 MOSFET 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等。工业自动化设备、UPS 不间断电源以及太阳能逆变器等高可靠性系统中也常见其身影。

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　　 "IRF1010E",
　　 "FDP590N",
　　 "SiR882DP",
　　 "IPD90N06S4-07"
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