类型：氮化镓（GaN）功率晶体管
　　最大漏极电流（Id）：150A
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　导通电阻（Rds(on)）：12mΩ
　　栅极电荷（Qg）：15nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN12x8
　　输入电容（Ciss）：3500pF
　　输出电容（Coss）：600pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0

CG21503 具备多项先进的性能特性。首先，其采用氮化镓材料，具有更高的电子迁移率，使得器件能够在更高的频率下工作，从而减小磁性元件的尺寸，提升整体电源系统的功率密度。其次，CG21503 的导通电阻仅为12mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，该器件的栅极电荷（Qg）仅为15nC，降低了开关损耗，使得在高频应用中依然保持优异的能效表现。反向恢复电荷（Qrr）接近于零，意味着其内部二极管具有极低的反向恢复损耗，进一步提升了系统在硬开关或同步整流拓扑中的表现。
　　CG21503 采用DFN12x8封装形式，具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。该封装还具备较低的引线电感，有助于减少开关过程中的电压振铃，提升EMI性能。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种严苛环境下的应用需求，具备良好的环境稳定性和长期可靠性。

CG21503 主要适用于高效率、高频率的功率转换系统。常见的应用包括高频DC-DC转换器、48V转负载点（PoL）转换器、服务器电源、电信整流器、工业电源模块以及电动汽车车载充电系统等。由于其具备低导通电阻和低开关损耗的特性，非常适合用于LLC谐振转换器、同步整流电路以及高功率密度电源系统中。
　　在数据中心和云计算基础设施中，CG21503可作为高效率功率开关，提升电源系统的整体能效，降低能耗和散热需求。在新能源汽车领域，该器件可用于车载DC-DC变换器和电池管理系统中的功率转换模块，支持更高的系统效率和更紧凑的设计。
　　此外，CG21503还可用于工业自动化设备、储能系统、光伏逆变器以及高密度适配器等应用中，为各种高要求的电子系统提供可靠的功率解决方案。

GS66508T, EPC2218, SiC621A