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CFRM105-HF 发布时间 时间:2025/7/16 10:29:33 查看 阅读:8

CFRM105-HF 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高频率射频功率晶体管,专为高频和宽带应用设计。该器件采用了先进的封装技术以实现卓越的热性能和电气特性,使其成为无线通信、雷达系统和其他高频电子设备的理想选择。
  CFRM105-HF 通过优化的电路设计实现了高效能与稳定性的结合,并且支持在较宽的工作温度范围内运行。

参数

型号:CFRM105-HF
  工作频率范围:30 MHz - 6 GHz
  输出功率:40 W (典型值)
  增益:12 dB (典型值)
  效率:60% (典型值)
  最大漏极电流:5 A
  供电电压:28 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

CFRM105-HF 具备高效率、高增益和宽带操作能力。其采用 GaN HEMT 技术制造,相比传统的硅基晶体管具有更高的功率密度和更小的尺寸。
  该晶体管内置匹配网络,简化了外部电路设计。此外,它还具备低热阻和良好的线性度,能够在复杂的调制环境下保持稳定的性能表现。
  CFRM105-HF 还支持多种保护机制,例如过压保护和短路保护,以提高系统的可靠性。

应用

CFRM105-HF 广泛应用于各种高频射频场景中,包括但不限于:
  1. 无线通信基站
  2. 军用雷达系统
  3. 卫星通信设备
  4. 医疗成像设备
  5. 测试测量仪器
  6. 高速数据传输链路
  由于其出色的高频特性和功率处理能力,CFRM105-HF 在需要高性能射频放大的领域中备受青睐。

替代型号

CFRM105-LF, CFRM105-WB

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CFRM105-HF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.3V @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)250ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123T
  • 供应商设备封装迷你型 SMA/SOD-123
  • 包装带卷 (TR)