CEU3055LA 时间：2025/9/12 15:23:19 阅读：5

CEU3055LA 是一款由CET（Central Semiconductor Corp）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件设计用于在高电流和高频率条件下提供优异的性能，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等多种应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.5A
　　功耗(Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（D-Pak）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：1V至2.5V
　　输入电容(Ciss)：约700pF @ Vds=15V

特性

CEU3055LA具备多个高性能特性，包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度，使其在电源转换应用中表现出色。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，在高功率操作条件下仍能保持良好的可靠性。
　　该器件的封装形式为TO-252（也称为D-Pak），具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）装配，便于在紧凑的PCB布局中使用。栅极驱动要求较低，兼容常见的逻辑电平驱动器，从而简化了电路设计。
　　此外，CEU3055LA还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下提供更高的系统稳定性和耐用性。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的电压，提高了器件在高频开关应用中的适用性。

应用

CEU3055LA广泛应用于各种电源管理系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的功率控制部分。此外，它也可用于工业自动化控制系统、消费类电子产品、汽车电子模块以及LED照明驱动电路中。
　　在电池管理系统中，CEU3055LA可用于高效能充放电控制，以延长电池寿命并提高能量利用率。在电机控制应用中，其快速开关特性和低导通电阻能够有效减少能量损耗，提升整体系统效率。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，该MOSFET也常用于空间受限且对散热性能有较高要求的便携式电子设备中。