时间：2025/3/24 15:52:14
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CEU16N10L是一款基于氮化镓（GaN）技术的增强型功率场效应晶体管（e-mode GaN HEMT）。该器件采用先进的GaN-on-Si工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和高频性能优异的特点。其设计主要针对高效率电源转换应用，例如DC-DC转换器、逆变器、快充适配器等场景。此器件通常以表面贴装封装形式提供，适合自动化生产。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：2200pF
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：LFPAK8
CEU16N10L具备非常低的导通电阻和栅极电荷，从而实现了高效的功率转换以及更小的热量产生。
由于其高频性能优越，可以显著减少无源元件（如电感和电容）的尺寸，从而缩小整体电路板面积。
该器件还具有快速开关能力，能够降低开关损耗，并支持更高的功率密度设计。
此外，它内置了ESD保护功能，提高了系统可靠性。
GaN材料的使用使得该器件能够在高温条件下稳定运行，同时保持较低的热阻。
CEU16N10L广泛应用于消费电子和工业领域中的高效电源转换解决方案。
具体应用包括USB PD快充适配器、笔记本电脑充电器、服务器电源、通信电源、电机驱动器以及分布式电源系统等。
在这些应用场景中，CEU16N10L通过提供更高的效率和功率密度，帮助客户实现更紧凑、更轻便的产品设计。
CEU14N10L, CEU18N10L
