CEU12N10L 时间：2025/5/16 14:28:53 阅读：5

CEU12N10L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换应用。其额定电压为 100V，典型导通电阻（Rds(on)）较低，能够显著降低功率损耗，提高效率。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：1.8A
　　导通电阻：1.3Ω
　　栅极电荷：7nC
　　开关时间：ton=9ns, toff=16ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

CEU12N10L 具有以下显著特点：
　　1. 额定电压为 100V，适合低压功率应用。
　　2. 极低的导通电阻（1.3Ω），可有效减少传导损耗。
　　3. 快速开关特性，栅极电荷仅为 7nC，适用于高频开关场景。
　　4. 优化的热性能设计，能在高温环境下稳定运行。
　　5. 小型化封装 TO-252，便于 PCB 布局并节省空间。
　　6. 提供卓越的可靠性和耐用性，适用于工业级或消费级设备。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池保护电路，用于过流和短路保护。
　　3. 电机驱动和负载切换控制。
　　4. 工业自动化系统中的信号传输与功率调节。
　　5. 消费类电子产品的负载开关和背光驱动等应用。
　　由于其高效的性能和稳定性，CEU12N10L 成为许多工程师在设计低功耗、紧凑型产品时的首选元件。