CEU12N10 时间：2025/7/10 1:36:00 阅读：8

CEU12N10是一款基于硅材料设计的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换场景。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等电力电子领域。
　　这款MOSFET支持N通道增强型操作，其额定电压为100V，能够满足多种工业和消费类应用需求。得益于其优化的芯片结构和封装设计，CEU12N10在高温和高频条件下仍能保持出色的性能。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻：5.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关速度：超快恢复
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

CEU12N10的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
　　2. 快速开关能力，支持高频应用，减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
　　4. 采用标准TO-220封装，便于安装和散热设计。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适合现代绿色电子产品的需求。
　　6. 内置ESD保护，提升了抗静电能力，提高了产品稳定性。
　　7. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。

应用

CEU12N10适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的高效开关。
　　3. 逆变器系统中的核心功率转换元件。
　　4. DC-DC转换器和降压/升压模块中的关键组件。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率控制单元。
　　6. 消费类电子产品的适配器和充电器设计。