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CESD5V0D7 发布时间 时间:2025/6/4 20:23:41 查看 阅读:4

CESD5V0D7 是一款基于硅氧化物技术的低电容ESD(静电放电)保护二极管阵列,主要用于高速数据线和高频信号线的瞬态电压抑制。该器件具有极低的负载电容,非常适合于高速接口如HDMI、USB 3.0/3.1、DisplayPort等应用场合。它能够在不影响信号完整性的前提下提供强大的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准。

参数

工作电压:5V
  最大箝位电压:11V
  电容:0.5pF
  响应时间:<1ns
  峰值脉冲电流:4A
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

CESD5V0D7具备超低的电容值(仅为0.5pF),可确保对高速信号传输的影响降到最低。此外,该器件还拥有非常快的响应时间(小于1ns),可以迅速地将过压脉冲引导到地,从而有效保护后端电路免受ESD损害。
  其设计采用了双向保护结构,支持正负双向瞬态电压抑制,并且在高频率环境下表现出色。同时,产品遵循RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品的需求。

应用

该芯片广泛应用于消费类电子产品的高速接口保护,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及高清电视中的USB Type-C、HDMI、MIPI、LVDS等接口线路的ESD防护。此外,在工业自动化设备、通信设施及汽车电子系统中,也可以利用CESD5V0D7来增强敏感元器件的抗干扰性能。

替代型号

PESD5V0X1B, SM712, SP1019

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