时间：2025/6/4 20:23:41
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CESD5V0D7 是一款基于硅氧化物技术的低电容ESD（静电放电）保护二极管阵列，主要用于高速数据线和高频信号线的瞬态电压抑制。该器件具有极低的负载电容，非常适合于高速接口如HDMI、USB 3.0/3.1、DisplayPort等应用场合。它能够在不影响信号完整性的前提下提供强大的ESD防护能力，符合IEC 61000-4-2标准。
工作电压：5V
最大箝位电压：11V
电容：0.5pF
响应时间：<1ns
峰值脉冲电流：4A
结温范围：-55℃至+150℃
CESD5V0D7具备超低的电容值（仅为0.5pF），可确保对高速信号传输的影响降到最低。此外，该器件还拥有非常快的响应时间（小于1ns），可以迅速地将过压脉冲引导到地，从而有效保护后端电路免受ESD损害。
其设计采用了双向保护结构，支持正负双向瞬态电压抑制，并且在高频率环境下表现出色。同时，产品遵循RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的需求。
该芯片广泛应用于消费类电子产品的高速接口保护，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及高清电视中的USB Type-C、HDMI、MIPI、LVDS等接口线路的ESD防护。此外，在工业自动化设备、通信设施及汽车电子系统中，也可以利用CESD5V0D7来增强敏感元器件的抗干扰性能。
PESD5V0X1B, SM712, SP1019
