类型：双向TVS二极管
　　工作电压：5.0V
　　反向关态电压（VRWM）：5.0V
　　钳位电压（Vc）：最大9.2V（在Ipp=1.7A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1.7A（8/20μs波形）
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOD-723

CESD5V0D7 E2 采用先进的硅雪崩二极管技术，能够在极短时间内响应电压瞬变，将电压钳制在安全范围内，从而有效保护后端电路。其双向设计使其适用于正负电压波动的场合，例如USB接口和HDMI线路。此外，该器件具有极低的电容值（通常为5pF），适合用于高速数据线路的保护。
　　在结构上，CESD5V0D7 E2 使用 SOD-723 小型封装，节省PCB空间并支持高密度布局。其内部结构由两个对称的TVS单元组成，分别应对正负方向的瞬态电压。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4（静电放电抗扰度标准）要求，确保在严苛的电磁环境中仍能提供稳定保护。
　　电气性能方面，该TVS二极管具有极低的漏电流（通常小于10nA），不会对正常工作电路造成影响。其钳位电压较低，有助于减少对受保护器件的压力，延长系统寿命。此外，该器件具有良好的热稳定性和重复性，能够承受多次浪涌冲击而不会失效。

CESD5V0D7 E2 主要用于需要高可靠性和高性能保护的电子设备中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、通信模块、工业控制设备以及消费类电子产品。典型应用场景包括USB接口、以太网端口、HDMI线路、RS-485通信接口以及传感器信号线的保护。
　　在高速数据传输线路中，该器件的低电容特性使其成为理想的保护元件，不会引起信号失真或传输延迟。此外，它也适用于电池管理系统、电源适配器和各类便携式电子设备，确保其在复杂电磁环境下的稳定运行。

SMBJ5.0CA, ESD5Z5V0U, PESD5V0U1BA