CESD5515UC5VU 是一款基于硅技术的高效 TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压瞬态影响而设计。它具有极低的电容特性,非常适合高速数据线和射频应用。
该器件采用超小型 UCSP 封装,能够提供出色的 ESD 防护性能,同时保持信号完整性和系统可靠性。其单向结构使其适用于各种单向信号线路保护场景。
封装:UCSP
工作电压(VRWM):5V
击穿电压(VBR):5.8V
最大箝位电压(VC):10.2V
峰值脉冲电流(IPP):37.9A
电容(Ciss):0.4pF
响应时间:0.5ps
结温范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低电容(0.4pF),适合高速数据传输线路保护。
2. 快速响应时间(0.5ps),能够有效抑制瞬态过电压。
3. 高峰值脉冲电流承受能力(37.9A),确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 超小型 UCSP 封装,节省 PCB 空间。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
6. 单向设计,适合单向信号线路保护。
7. 工作电压精准,可精确匹配不同电路需求。
1. USB 3.0/3.1 数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速接口防护。
3. 射频前端模块(RF FEM)保护。
4. 汽车信息娱乐系统中的信号线路防护。
5. 工业控制设备中的通信接口保护。
6. 移动设备和物联网终端的数据线路防护。
PESD5V0UC5, SM712, CDSOD323B-05T