时间：2025/6/30 14:06:52
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CESD3V3D7 是一款基于硅雪崩技术的高性能 TVS（瞬态电压抑制器）二极管。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、雷击感应脉冲和其他瞬态威胁而设计。它具有低电容特性，非常适合高速数据线路和射频应用。此外，CESD3V3D7 提供单向保护功能，能够有效箝位高能量瞬态电压，同时保持较低的动态电阻以减少信号失真。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：8A
最大反向工作电压：3.3V
击穿电压：4V
箝位电压：15.2V
结电容：7pF
响应时间：小于等于1皮秒
工作温度范围：-55℃至+150℃
CESD3V3D7 具备出色的 ESD 防护能力，符合 IEC61000-4-2 国际标准，可承受高达 ±15kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
其超低电容特性使其成为高速通信接口的理想选择，例如 USB、HDMI 和以太网等。
该器件采用紧凑型 SOD-323 封装，节省空间并简化电路板布局。
具备高可靠性，适用于工业、汽车和消费类电子产品中的多种应用场景。
CESD3V3D7 广泛应用于需要强大瞬态电压保护的场合，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的数据线保护。
2. 工业控制设备：如 PLC 和传感器接口的防护。
3. 汽车电子系统：如 CAN 总线、LIN 总线及车载娱乐系统的保护。
4. 网络通信设备：如路由器、交换机和调制解调器中的端口保护。
5. 医疗设备：确保关键仪器在复杂电磁环境下的稳定运行。
PESD3V3X1B, SMAJ3V3A
