类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　工作电压：3.3V
　　最大反向工作电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小3.78V，典型4.2V，最大4.62V
　　最大箝位电压（VC）：9.2V（在IEC 61000-4-2 Level 4测试条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：16A（8/20μs波形）
　　响应时间：小于1纳秒
　　封装形式：SOD-523
　　极性：双向

CESD3V3D5 ZE采用了先进的硅雪崩二极管技术，具备极快的响应速度和优异的瞬态抑制能力。其3.3V的工作电压适用于低压电路的保护，特别适合用于保护高速数据线路和敏感的CMOS电路。该器件的双向特性使其能够有效抑制正负两个方向的瞬态电压，确保全面的电路保护。
　　此外，CESD3V3D5 ZE具有非常低的电容特性，通常小于1pF，这使得它在高频信号线路中的应用不会对信号完整性造成影响。其SOD-523小封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率和可靠性。
　　该TVS器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，提供最高级别的静电放电保护（±8kV接触放电和±15kV空气放电），适用于工业和商业环境中可能遇到的严酷电磁干扰条件。其高可靠性和长寿命设计，使其成为各种电子设备中不可或缺的保护元件。

CESD3V3D5 ZE广泛应用于需要高水平静电放电和瞬态电压保护的电子设备中。其典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据传输线路的保护，也常用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的低压电路保护。此外，它还适用于工业控制系统的输入/输出端口、通信设备（如路由器、交换机）以及汽车电子系统中的敏感电路保护。在这些应用中，CESD3V3D5 ZE能够有效防止因静电放电、雷击浪涌、电感负载切换等引起的瞬态电压损坏设备，从而提高系统的稳定性和可靠性。

SMBJ3.3V, SMAJ3.3A, PESD3V3U2, ESD3V3B4-01