CESD323NC8VB 是一款基于硅工艺设计的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压脉冲的损害。该器件具有低电容、快速响应时间以及高浪涌能力等特点,非常适合高速数据线和信号线的保护应用。
该芯片符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级和工业级应用。其封装形式为 DO-214AC (SMB),有助于提高电路板布局的灵活性和散热性能。
工作电压:±6V
击穿电压:±7.5V
最大箝位电压:±12V
动态电阻:≤0.5Ω
峰值脉冲电流:±20A (8/20μs)
电容:25pF
响应时间:≤1ps
结电容:25pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CESD323NC8VB 的主要特性包括:
1. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压脉冲,确保被保护电路的安全性。
2. 高度集成的设计减少了外部元件数量,节省了 PCB 空间。
3. 低电容特性使其适合用于高速数据接口,例如 USB、HDMI 和以太网等。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
5. 可靠性高,能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 具有出色的抗 ESD 能力,能够承受超过 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电(根据 IEC 61000-4-2 标准)。
CESD323NC8VB 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子系统中的数据总线保护,例如 CAN、LIN 和 FlexRay。
2. 工业自动化设备中的信号线保护。
3. 高速通信接口的 ESD 保护,如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 和 Ethernet。
4. 移动设备和消费类电子产品中的敏感电路保护。
5. 医疗设备中的信号完整性保护。
SM712、PESD8VS1BLT、TPD3S1U06