时间：2025/5/23 15:21:16
阅读：21
CESD323LX3V3B 是一款基于硅雪崩二极管技术的高速瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的损害。该器件采用小尺寸封装，非常适合便携式和空间受限的应用场景。
其工作电压为 3.3V，能够提供高效的双向保护，确保电路在面对突发过压时的稳定性和可靠性。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流（IPP）：±15A
击穿电压（VBR）：3.8V
最大钳位电压（VC）：16.9V
电容（Cj）：0.4pF
响应时间：≤1ps
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：X2SON
CESD323LX3V3B 的设计结合了低电容、快速响应时间和高浪涌能力等优点，使其成为高速数据线和射频信号线的理想保护选择。
以下是该器件的主要特性：
1. 超低电容（0.4pF），对高速信号的影响可以忽略不计。
2. 快速响应时间（≤1ps），能够迅速抑制瞬态过压。
3. 高浪涌能力（±15A），确保在恶劣环境下依然可靠。
4. 工作电压精准（3.3V），适用于常见的电源和信号轨保护。
5. 小型封装（X2SON），节省PCB空间，便于设计集成。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
CESD323LX3V3B 广泛应用于需要 ESD 和其他瞬态过压保护的场合，包括但不限于以下领域：
1. USB 接口保护（USB 2.0/3.0）。
2. HDMI 和 DisplayPort 等高速视频接口保护。
3. 射频前端保护（如 Wi-Fi、蓝牙模块）。
4. 移动设备中的天线端口保护。
5. 工业控制系统的通信端口保护。
6. 汽车电子中的传感器和总线保护。
由于其超低电容和快速响应时间，它特别适合于高速信号线和高频射频应用中。
PESD3V3X1BL, SM712, CDSOD323LX3V3B
