CESD323HC7VU是一款基于硅雪崩二极管技术的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护高速数据线和信号线免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态过电压事件的影响。该器件具有超低的电容特性,非常适合用于高速接口如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等。其封装形式为DFN6(100 mil),非常紧凑,便于在空间受限的设计中使用。
该型号属于CeraMite系列,具有高可靠性,能够在不降低性能的情况下承受多次ESD冲击。此外,它符合IEC 61000-4-2国际标准,能够提供高达±30kV(空气放电)和±30kV(接触放电)的ESD保护。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:9.6A
箝位电压:15.8V
结电容:0.8pF
响应时间:1ps
最大工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:DFN6 (100 mil)
引脚数:6
1. 超低结电容(0.8pF),适合高速数据线保护。
2. 高度可靠的硅雪崩二极管技术。
3. 符合IEC 61000-4-2(±30kV接触放电,±30kV空气放电)。
4. 小型DFN6封装,节省PCB空间。
5. 极快的响应时间(1皮秒),可迅速抑制瞬态电压。
6. 能够承受高达9.6A的峰值脉冲电流,确保长期可靠性。
7. 工作温度范围广(-55℃至+150℃),适应多种环境条件。
8. 稳定的箝位电压(15.8V),有效保护下游电子元件。
1. USB 3.0端口保护。
2. HDMI和DisplayPort接口保护。
3. 高速数据通信线路的ESD防护。
4. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的信号线保护。
5. 工业自动化设备的数据接口防护。
6. 汽车电子系统中的高速CAN总线保护。
7. 笔记本电脑和其他消费类电子产品中的接口保护。
PESD3V3R0HT2,
CESD323LC7V,
CESD323HC6VU