时间：2025/6/3 21:32:07
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CESD323HC7VU是一款基于硅雪崩二极管技术的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，主要用于保护高速数据线和信号线免受静电放电（ESD）、雷击浪涌和其他瞬态过电压事件的影响。该器件具有超低的电容特性，非常适合用于高速接口如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等。其封装形式为DFN6（100 mil），非常紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
该型号属于CeraMite系列，具有高可靠性，能够在不降低性能的情况下承受多次ESD冲击。此外，它符合IEC 61000-4-2国际标准，能够提供高达±30kV（空气放电）和±30kV（接触放电）的ESD保护。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：9.6A
箝位电压：15.8V
结电容：0.8pF
响应时间：1ps
最大工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN6 (100 mil)
引脚数：6
1. 超低结电容（0.8pF），适合高速数据线保护。
2. 高度可靠的硅雪崩二极管技术。
3. 符合IEC 61000-4-2（±30kV接触放电，±30kV空气放电）。
4. 小型DFN6封装，节省PCB空间。
5. 极快的响应时间（1皮秒），可迅速抑制瞬态电压。
6. 能够承受高达9.6A的峰值脉冲电流，确保长期可靠性。
7. 工作温度范围广（-55℃至+150℃），适应多种环境条件。
8. 稳定的箝位电压（15.8V），有效保护下游电子元件。
1. USB 3.0端口保护。
2. HDMI和DisplayPort接口保护。
3. 高速数据通信线路的ESD防护。
4. 移动设备（如智能手机和平板电脑）中的信号线保护。
5. 工业自动化设备的数据接口防护。
6. 汽车电子系统中的高速CAN总线保护。
7. 笔记本电脑和其他消费类电子产品中的接口保护。
PESD3V3R0HT2,
CESD323LC7V,
CESD323HC6VU
