时间：2025/6/19 17:08:04
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CESD323HC4V5B 是一款基于硅工艺的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，设计用于保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压威胁。该器件具有低电容特性，使其非常适合高速数据线和高频信号线路的保护需求。其封装小巧，易于集成到各种便携式和空间受限的应用中。
该器件符合 IEC 61000-4-2 国际标准，能够提供高达 ±30kV 的接触放电保护。同时，它具备低钳位电压特性，能够在瞬态事件发生时迅速将过压限制在安全范围内，从而有效保护后端电路。
工作电压：4.5V
峰值脉冲电流：3A
最大箝位电压：7.9V
电容：8pF
响应时间：小于等于1ps
结电容：8pF
漏电流：小于等于1uA（@VR=0V）
封装形式：SOT-23
CESD323HC4V5B 的主要特性包括低电容值（仅 8pF），这使得它适合高速数据接口保护。同时，该 TVS 阵列提供了优异的 ESD 防护能力，可承受高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。其快速响应时间 (<1ps) 确保了对瞬态事件的有效防护。
此外，这款 TVS 二极管具有较低的漏电流（小于等于 1uA），可以最大限度地减少对被保护电路的影响。器件采用 SOT-23 封装，体积小、易于焊接，并且兼容标准表面贴装工艺。
其典型应用场合包括 USB、HDMI、以太网等高速数据接口的保护，以及手机、平板电脑和其他消费类电子产品的防护需求。
CESD323HC4V5B 广泛应用于需要可靠 ESD 保护的场景，例如：
- 高速数据接口（USB、HDMI、DisplayPort 等）
- 消费类电子产品（智能手机、平板电脑、笔记本电脑）
- 工业控制设备的数据通信线路
- 汽车电子系统中的信号保护
- 物联网 (IoT) 设备中的传感器和通信模块保护
由于其低电容特性，这款器件特别适合于需要维持信号完整性的高频应用环境。
PESD3V3R0BT,
CESD323HC4V5,
PESD5V0R1BAB
