时间：2025/7/3 21:57:44
阅读：15
CESD323HC12VU-M 是一款基于硅技术的高效瞬态电压抑制器（TVS），设计用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过电压事件的影响。它具有低电容和快速响应时间，非常适合高速数据线和信号线路的保护应用。
该器件采用紧凑的封装形式，便于在空间受限的应用中使用，并提供单向保护特性。
工作电压：12V
峰值脉冲电流：±8A（8/20μs波形）
钳位电压：16.7V
动态电阻：0.5Ω
电容：12pF
响应时间：小于等于1ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOD-323
CESD323HC12VU-M 具备以下主要特性：
1. 高效的瞬态电压抑制能力，能够承受高达 ±8A 的峰值脉冲电流，确保电路在面对瞬态过电压时的安全性。
2. 快速响应时间（≤1ns），可以及时抑制瞬态干扰，保护下游电子元件。
3. 极低的动态电阻（0.5Ω），有效降低能量损耗并提高钳位效率。
4. 低负载电容（12pF），使其适合高速信号线路的保护，不会显著影响信号完整性。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
CESD323HC12VU-M 广泛应用于需要对 ESD 和其他瞬态电压进行防护的场合，典型应用包括：
1. 高速数据接口保护，例如 USB、HDMI、DisplayPort 等。
2. 通信设备中的射频和基带信号线保护。
3. 消费类电子产品中的音频、视频信号线路保护。
4. 工业控制设备中的传感器信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线等通信线路保护。
PESD323B12VA,
SM712,
SMBJ12A
