CESD323HC12VU-M 是一款基于硅技术的高效瞬态电压抑制器(TVS),设计用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压事件的影响。它具有低电容和快速响应时间,非常适合高速数据线和信号线路的保护应用。
该器件采用紧凑的封装形式,便于在空间受限的应用中使用,并提供单向保护特性。
工作电压:12V
峰值脉冲电流:±8A(8/20μs波形)
钳位电压:16.7V
动态电阻:0.5Ω
电容:12pF
响应时间:小于等于1ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOD-323
CESD323HC12VU-M 具备以下主要特性:
1. 高效的瞬态电压抑制能力,能够承受高达 ±8A 的峰值脉冲电流,确保电路在面对瞬态过电压时的安全性。
2. 快速响应时间(≤1ns),可以及时抑制瞬态干扰,保护下游电子元件。
3. 极低的动态电阻(0.5Ω),有效降低能量损耗并提高钳位效率。
4. 低负载电容(12pF),使其适合高速信号线路的保护,不会显著影响信号完整性。
5. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +150℃),适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
CESD323HC12VU-M 广泛应用于需要对 ESD 和其他瞬态电压进行防护的场合,典型应用包括:
1. 高速数据接口保护,例如 USB、HDMI、DisplayPort 等。
2. 通信设备中的射频和基带信号线保护。
3. 消费类电子产品中的音频、视频信号线路保护。
4. 工业控制设备中的传感器信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线等通信线路保护。
PESD323B12VA,
SM712,
SMBJ12A