时间：2025/6/23 13:46:49
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CESD2510LC5VU-M 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺的低电容 ESD 保护二极管阵列，设计用于高速接口电路中的静电放电（ESD）保护。该器件具有超低电容特性，非常适合于高速数据线和射频信号线的保护。它能够有效防止由人体模型（HBM）、机器模型（MM）以及充电设备模型（CDM）引起的静电损害，同时确保信号完整性不受影响。
该元器件符合 IEC 61000-4-2 国际标准，并提供高达 ±25kV 的接触放电保护能力。其封装形式为紧凑型 SOT-363 封装，适合空间受限的设计。
工作电压：5V
最大箝位电压：10.8V
动态电阻：1Ω
电容：0.5pF
响应时间：1ps
最大浪涌电流：3A
额定工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CESD2510LC5VU-M 具有以下关键特性：
1. 超低电容（0.5pF），可确保高速信号传输过程中最小的信号失真。
2. 快速响应时间（1ps），能够在瞬态事件发生时迅速箝位过压脉冲。
3. 高度可靠的静电防护能力，满足 ±25kV 接触放电和 ±30kV 空气放电要求。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 小尺寸封装（SOT-363），节省 PCB 布局空间。
6. 支持多种高速接口应用，如 USB 3.1、HDMI 2.0 和 DisplayPort 等。
CESD2510LC5VU-M 广泛应用于需要高可靠性静电防护的场景中，典型的应用包括：
1. 消费类电子产品中的高速数据接口保护，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 工业控制设备中的传感器和通信模块保护。
3. 音视频设备中的 HDMI、DisplayPort 和其他高速视频接口防护。
4. 网络通信设备中的以太网端口和其他高速信号线路防护。
5. 医疗电子设备中的敏感输入输出端口保护。
PESD25LC5VSMA, SP1017SG-5-L, SM712
