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CESD2020HC18VU 发布时间 时间:2025/6/6 15:33:26 查看 阅读:4

CESD2020HC18VU是一款基于硅雪崩二极管技术的高性能静电放电(ESD)保护器件。该器件专为高速信号线和电源线的瞬态电压抑制而设计,能够提供低电容和快速响应时间,确保敏感电子设备免受ESD冲击的损害。
  该器件符合IEC 61000-4-2国际标准,支持高达±20kV(空气放电)和±18kV(接触放电)的ESD防护水平。此外,其封装形式紧凑,非常适合空间受限的应用场景。

参数

工作电压:18V
  最大钳位电压:27.4V
  动态电阻:0.5Ω
  寄生电容:1pF
  响应时间:小于等于1ns
  峰值脉冲电流:9A
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

CESD2020HC18VU具有以下关键特性:
  1. 高达±20kV的ESD防护能力,适合严苛环境下的应用。
  2. 极低的寄生电容(1pF),确保对高速数据线的信号完整性影响最小。
  3. 快速响应时间(≤1ns),能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
  4. 小型化SMD封装,易于集成到各种电路板设计中。
  5. 稳定的电气性能和长寿命,适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。
  6. 符合RoHS标准,环保且无卤素材料。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 高速接口保护,例如USB、HDMI、DisplayPort等。
  2. 移动设备中的射频前端保护,如智能手机和平板电脑。
  3. 工业自动化设备中的信号线保护。
  4. 汽车电子系统中的控制模块保护。
  5. 通信设备中的天线端口保护。
  6. 医疗设备中的敏感电路保护。

替代型号

SMF18A, PESD18VL, TPD1E10B06

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