时间：2025/6/3 22:39:28
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CESD2010LC2V8B 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺的高性能 ESD（静电放电）保护二极管阵列，主要用于高速数据线和信号线的瞬态电压抑制。它具有低电容特性，适合于高频应用环境，同时能够提供卓越的ESD防护能力以满足国际标准如 IEC 61000-4-2 的要求。
该器件采用紧凑型封装设计，易于集成到各种电子设备中，适用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域。
型号：CESD2010LC2V8B
工作电压：2V
最大箝位电压：13.4V
峰值脉冲电流：±10A
结电容：0.5pF
响应时间：＜1ps
封装形式：DFN1010-2
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 超低电容设计，仅0.5pF，确保对高速信号的影响最小化。
2. 快速响应时间，小于1皮秒，能够迅速抑制瞬态电压波动。
3. 高度可靠的ESD防护性能，符合甚至超越IEC 61000-4-2接触放电 ±8kV 和空气放电 ±15kV 标准。
4. 小尺寸封装（DFN1010-2），节省PCB空间并简化布局设计。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应恶劣环境下的稳定运行需求。
6. 具备良好的抗浪涌能力，可承受高达±10A的峰值脉冲电流而不损坏。
CESD2010LC2V8B 常用于以下领域：
1. 高速接口保护，例如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 等。
2. 移动设备中的射频前端保护，如智能手机和平板电脑。
3. 通信系统中的数据线路防护，包括光纤收发模块和网络交换机。
4. 工业自动化设备中的传感器和控制信号链路保护。
5. 汽车电子系统的瞬态电压抑制，保障车内通信总线的安全性。
PESD2010LC2, SM712, CDSOD321B
