时间：2025/6/12 6:37:51
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CESD1610HC6V8UH是一款基于硅技术的ESD（静电放电）保护二极管阵列，主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电事件的影响。该器件具有超低电容特性，非常适合高速数据线和高频信号路径中的应用。其封装形式为DFN-6，体积小巧，适合空间受限的设计环境。
该型号是专为现代消费电子、通信和工业设备设计的解决方案之一，能够在不显著影响信号完整性的前提下提供高水平的静电防护能力。
工作电压：6V
最大箝位电压：14V
电容：0.5pF
响应时间：1ns
峰值脉冲电流：2A
封装形式：DFN-6
工作温度范围：-40℃至+85℃
CESD1610HC6V8UH具备以下主要特性：
1. 超低电容设计，对高速信号的影响最小化。
2. 高速响应时间（1ns），可快速抑制瞬态电压尖峰。
3. 符合IEC 61000-4-2标准，支持±15kV接触放电和±15kV空气放电保护。
4. 小型化的DFN-6封装，节省PCB空间。
5. 宽泛的工作电压范围，适用于多种应用场景。
6. 高可靠性，能够承受多次ESD冲击而不失效。
7. 无铅环保设计，符合RoHS标准。
这款ESD保护二极管广泛应用于以下领域：
1. USB 3.0/3.1高速数据线保护。
2. HDMI、DisplayPort等高清视频接口的静电防护。
3. 无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙）天线端口保护。
4. 工业自动化设备中的I/O端口防护。
5. 消费类电子产品（智能手机、平板电脑、笔记本电脑）的关键信号线路保护。
6. 医疗设备中敏感电子元件的保护。
PESD16VL1BT, SM712, SP1019-02G
