时间：2025/6/4 1:54:58
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CESD1006HC4V5B是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的ESD保护二极管阵列。它专门设计用于保护高速数据线免受静电放电（ESD）的损害，同时提供低电容特性以确保信号完整性。该器件采用超小型DFN封装，适合用于便携式设备和其他空间受限的应用场景。
这款ESD保护二极管阵列支持多条数据线的同时保护，并具有双向保护功能，能够承受±25kV的接触放电和±30kV的空气放电，符合IEC 61000-4-2标准。此外，它还具备极低的动态电阻，从而实现高效的瞬态电压抑制。
工作电压：4.5V
最大箝位电压：9V
动态电阻：0.3Ω
电容：0.5pF
响应时间：<1ns
最大浪涌电流：3A
封装类型：DFN-6
工作温度范围：-40℃至+85℃
1. 极低的负载电容（0.5pF），非常适合高速数据线路保护。
2. 高度可靠的ESD保护性能，可承受±25kV接触放电和±30kV空气放电。
3. 超小型DFN封装，有助于节省PCB空间。
4. 双向保护结构，适用于单端和差分信号线。
5. 低动态电阻（0.3Ω），能有效降低电压瞬变对电路的影响。
6. 快速响应时间（<1ns），可迅速抑制瞬态过电压。
7. 工作电压为4.5V，适合多种低压应用环境。
8. 符合RoHS标准，环保无铅。
CESD1006HC4V5B广泛应用于需要ESD保护的各种电子设备中，特别是在高速数据接口和敏感信号线上。典型应用场景包括：
1. USB 3.0/3.1接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口的ESD防护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 消费类电子产品中的音频和控制信号线保护。
5. 工业设备中的通信端口防护，例如RS-232、RS-485等接口。
6. 其他任何需要低电容、高效ESD保护的场合。
CESD1006HC4V5G
CESD1006HC6V5B
CESD1006HC6V5G
