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CESD1006HC4V5B 发布时间 时间:2025/6/4 1:54:58 查看 阅读:4

CESD1006HC4V5B是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的ESD保护二极管阵列。它专门设计用于保护高速数据线免受静电放电(ESD)的损害,同时提供低电容特性以确保信号完整性。该器件采用超小型DFN封装,适合用于便携式设备和其他空间受限的应用场景。
  这款ESD保护二极管阵列支持多条数据线的同时保护,并具有双向保护功能,能够承受±25kV的接触放电和±30kV的空气放电,符合IEC 61000-4-2标准。此外,它还具备极低的动态电阻,从而实现高效的瞬态电压抑制。

参数

工作电压:4.5V
  最大箝位电压:9V
  动态电阻:0.3Ω
  电容:0.5pF
  响应时间:<1ns
  最大浪涌电流:3A
  封装类型:DFN-6
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

1. 极低的负载电容(0.5pF),非常适合高速数据线路保护。
  2. 高度可靠的ESD保护性能,可承受±25kV接触放电和±30kV空气放电。
  3. 超小型DFN封装,有助于节省PCB空间。
  4. 双向保护结构,适用于单端和差分信号线。
  5. 低动态电阻(0.3Ω),能有效降低电压瞬变对电路的影响。
  6. 快速响应时间(<1ns),可迅速抑制瞬态过电压。
  7. 工作电压为4.5V,适合多种低压应用环境。
  8. 符合RoHS标准,环保无铅。

应用

CESD1006HC4V5B广泛应用于需要ESD保护的各种电子设备中,特别是在高速数据接口和敏感信号线上。典型应用场景包括:
  1. USB 3.0/3.1接口保护。
  2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口的ESD防护。
  3. 移动设备中的天线端口保护。
  4. 消费类电子产品中的音频和控制信号线保护。
  5. 工业设备中的通信端口防护,例如RS-232、RS-485等接口。
  6. 其他任何需要低电容、高效ESD保护的场合。

替代型号

CESD1006HC4V5G
  CESD1006HC6V5B
  CESD1006HC6V5G

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