时间：2025/12/28 12:24:34
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CEP85N75V 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关和电源管理应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，提供高效的功率转换性能。CEP85N75V 采用 TO-220 封装，适合用于各种工业、消费类电子和电源系统中。其主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：750 V
最大漏极电流（Id）：85 A
导通电阻（Rds(on)）：0.165 Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2 V ~ 4 V
最大功耗（Pd）：300 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
CEP85N75V 具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。
首先，其最大漏源电压为 750 V，使其适用于高压电源转换系统，如 AC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和高压电机驱动器。漏极电流能力高达 85 A，可支持高功率负载的切换操作。
其次，导通电阻 Rds(on) 最大值为 0.165 Ω，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。这对于需要高效能运作的电源管理系统尤为重要。
此外，该器件采用 TO-220 封装，具有良好的热管理能力，适合高功率耗散的应用。TO-220 封装还便于安装散热片，进一步提高器件的热稳定性。
CEP85N75V 的栅极阈值电压范围为 2 V 至 4 V，与常见的逻辑电平控制器兼容，便于驱动电路设计。这使得该 MOSFET 可以被多种控制 IC 或微控制器直接驱动，减少外围电路的复杂度。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制、通信设备和家电产品。
CEP85N75V 主要用于高压和高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、LED 照明电源、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。
在开关电源设计中，CEP85N75V 可作为主开关器件，实现高效的能量转换。其高电压和高电流能力使其适用于反激式和正激式变换器拓扑结构。
在电机驱动器中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构，控制直流电机或步进电机的正反转和调速。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升电机控制的响应速度和效率。
此外，CEP85N75V 也适用于 LED 驱动电源，特别是在高功率 LED 照明系统中，可作为恒流控制电路的开关元件，实现稳定的亮度控制。
在工业自动化设备中，该器件可用于 PLC 输出模块、继电器替代和负载开关控制，提供可靠的高功率切换能力。
家用电器方面，CEP85N75V 可用于变频空调、电磁炉、电热水器等产品的功率控制电路，提升能效并减少热量损耗。
STP80NF70, IRF840, FQA80N70, FDP80N75S
