CEP85N75 时间：2025/7/12 19:37:51 阅读：15

CEP85N75是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件通常用于高电压应用场合，例如开关电源、逆变器和电机驱动等领域。其设计特点在于能够在高电压条件下提供低导通电阻，从而提高效率并减少能量损耗。
　　CEP85N75采用TO-247封装形式，这种封装具有良好的散热性能，适合大功率应用场景。通过优化的制造工艺和结构设计，这款MOSFET能够在较高的工作频率下保持稳定的性能。

参数

最大漏源电压：750V
　　连续漏极电流：85A
　　导通电阻：1.2Ω
　　栅极电荷：38nC
　　总电容：2900pF
　　功耗：240W
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

CEP85N75具备以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：额定漏源电压为750V，适用于各种高压环境。
　　2. 低导通电阻：在高电流条件下能够有效降低功耗。
　　3. 快速开关速度：得益于较低的栅极电荷，使得该MOSFET可以运行于高频应用中。
　　4. 强大的电流承载能力：连续漏极电流高达85A，确保其在重载情况下的可靠性。
　　5. 良好的热性能：通过TO-247封装提供了高效的散热路径。
　　6. 广泛的工作温度范围：支持从-55℃到175℃的操作环境，适应极端条件。

应用

CEP85N75广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC/DC转换器和DC/DC变换器等。
　　2. 逆变器：包括太阳能逆变器和其他类型的电力逆变设备。
　　3. 电机驱动：特别是大功率电机控制场景。
　　4. 工业自动化：如工业级变频器、伺服驱动器以及其他需要高效功率转换的应用。
　　5. 充电器：电动汽车充电站及便携式设备快速充电解决方案。
　　6. 不间断电源系统（UPS）：为关键负载提供稳定可靠的电力支持。