CEP80N75 时间：2025/5/7 17:12:19 阅读：11

CEP80N75是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其设计特点在于能够承受高电压，同时具备较低的导通电阻，从而提升效率并减少功率损耗。
　　该器件采用了先进的制造工艺，确保在高温和高频工作环境下的稳定性。此外，CEP80N75还具有快速开关速度和出色的热性能，使其非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。

参数

最大漏源电压：750V
　　连续漏极电流：80A
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻：0.18Ω
　　总功耗：350W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

CEP80N75的关键特性包括：
　　1. 高耐压能力，额定漏源电压高达750V，适用于高压应用场景。
　　2. 低导通电阻（Rds(on)）为0.18Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗。
　　4. 强大的散热性能，适合长时间稳定运行。
　　5. 宽工作温度范围，从-55°C到+175°C，确保在极端环境下仍能保持性能。
　　6. 具备良好的抗静电能力和可靠性，适合工业级应用。
　　这些特性使得CEP80N75成为高压大电流应用的理想选择，尤其是在电力电子领域。

应用

CEP80N75广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 逆变器
　　4. 电机驱动
　　5. UPS不间断电源
　　6. 工业控制设备
　　7. 太阳能逆变器
　　8. 负载开关
　　由于其高耐压和大电流能力，这款器件特别适合要求高效率和高可靠性的电力电子应用。