CEP6060N 时间：2025/6/29 4:39:54 阅读：4

CEP6060N是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合要求高效能和低功耗的应用场景。
　　CEP6060N的设计使其能够承受较高的漏源电压，并在大电流条件下保持较低的功率损耗，这使得它成为众多电力电子设计的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ
　　总功耗(Ptot)：180W
　　结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

CEP6060N具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效降低功率损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定电流能力，支持高达60A的连续漏极电流。
　　3. 快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频应用。
　　4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，提高了器件在异常条件下的可靠性。
　　5. 采用TO-247封装，具备良好的散热性能，易于集成到各种应用中。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。

应用

CEP6060N适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动器。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率转换模块。
　　5. 汽车电子中的直流-直流转换器和启动停止系统。
　　6. LED照明驱动电路中的高效功率开关。