CEP13N5 时间：2025/12/24 17:41:18 阅读：21

CEP13N5是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效能的电源管理系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和大电流承载能力等特点。CEP13N5通常封装在TO-220或D2PAK等常见的功率封装形式中，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电压（VDSS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：13A（在25°C下）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.22Ω（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

CEP13N5具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率，从而在电源转换器、DC-DC转换器和负载开关等应用中表现出色。其高电流承载能力和良好的热稳定性使得该器件能够在苛刻的工作条件下可靠运行。此外，CEP13N5的快速开关特性降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的保护。此外，其栅极驱动要求较低，可以与标准的逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。
　　在制造方面，CEP13N5采用了高质量的硅材料和先进的封装技术，以确保器件在长时间运行中的稳定性和可靠性。该器件的封装设计有助于有效散热，确保在高功率应用中保持较低的工作温度。同时，CEP13N5的引脚设计符合行业标准，方便在PCB（印刷电路板）上的布局和焊接。

应用

CEP13N5广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器、负载开关和功率放大器等。此外，它还常用于工业自动化设备、汽车电子系统、消费类电子产品和通信设备中作为高效的功率开关器件。由于其优异的电气性能和可靠性，CEP13N5在需要高效率和高稳定性的应用中尤为受欢迎。