型号：CEP09N7G
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700 V
　　最大漏极电流（Id）：9 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.85 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：典型值 3.0 V
　　最大功耗（Pd）：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF
　　输出电容（Coss）：约 150 pF
　　反向传输电容（Crss）：约 50 pF
　　栅极电荷（Qg）：约 45 nC

CEP09N7G具备多项关键特性，使其在众多N沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其高达700V的漏源击穿电压（BVDSS）使其非常适合高压应用场景，例如开关电源（SMPS）、离线式AC-DC转换器以及工业控制设备中的高压侧开关。这一电压等级确保了器件在面对电网波动或瞬态过压时仍能保持安全可靠的工作状态。其次，该器件的最大连续漏极电流可达9A，在同类高压MOSFET中属于较高水平，能够支持较大负载的驱动需求，适用于电机控制、LED驱动电源及电池管理系统等需要较强电流承载能力的场合。
　　另一个显著特点是其较低的导通电阻Rds(on)，典型值仅为0.85Ω（在Vgs=10V条件下测得）。这一参数直接影响器件在导通状态下的功率损耗（I2R损耗），因此低Rds(on)有助于提升系统效率并减少发热，从而降低对散热设计的要求，有利于实现紧凑型电源设计。此外，CEP09N7G采用了优化的栅极结构，具备适中的栅极电荷（Qg≈45nC）和输入电容，这使得它在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性，同时不会对驱动电路造成过大的负担。这意味着它可以高效地工作在数十kHz甚至上百kHz的开关频率下，适用于现代高效的DC-DC变换器拓扑如反激式、正激式或LLC谐振转换器。
　　该器件还具有出色的热稳定性和长期可靠性。其最大结温可达+175°C，结合TO-220AB封装良好的热传导性能，能够在恶劣的热环境中长时间运行而不会发生性能退化。此外，内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，可在某些拓扑中作为续流路径使用，进一步增强了其应用灵活性。综合这些特性，CEP09N7G不仅适用于传统的工业电源系统，也能胜任新能源、电动汽车充电模块、智能家电等新兴领域的功率控制任务。

CEP09N7G主要应用于各类中高功率的电力电子系统中。一个典型的应用领域是开关模式电源（SMPS），特别是在离线式反激或正激转换器中作为主开关管使用。由于其700V的耐压能力和较高的电流处理能力，它能够直接连接整流后的市电（例如在220V AC输入下产生的约310V DC母线电压，并考虑峰值和反射电压），无需额外的电压钳位保护即可安全工作。这类电源广泛存在于电视机、显示器、路由器、适配器等消费电子产品中。
　　另一个重要应用是在DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在需要高效率和小体积的工业电源模块中。CEP09N7G的低导通电阻和良好开关特性使其在硬开关拓扑中表现出色，有助于提高整体能效并减少散热器尺寸。此外，在电机驱动电路中，该器件可用于H桥或半桥拓扑中的低端或高端开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向，常见于自动化设备、家用电器（如洗衣机、风扇）和电动工具中。
　　该器件也适用于LED照明驱动电源，特别是大功率LED路灯或商业照明系统所用的恒流源电路。在此类应用中，稳定的开关性能和耐高温能力至关重要，而CEP09N7G正好满足这些要求。此外，它还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统以及电池充放电控制器等新能源相关设备中，承担能量转换和通断控制功能。得益于其TO-220AB封装易于安装和散热的特点，工程师可以方便地将其集成到各种功率板级设计中，实现快速原型开发与批量生产。

STP9NK70ZFP
　　FQP9N70L