CEP02N6G 是一款 N 沣道通 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-252 封装。这款器件广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景中,其主要功能是作为高效的电子开关或放大器来使用。
该型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:2A
导通电阻:0.17欧姆
栅极电荷:9nC
总电容:420pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
CEP02N6G 的主要特性包括:
1. 低导通电阻,有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体能效。
2. 快速开关速度,使其非常适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
5. 可靠性高,在各种恶劣环境下依然保持稳定性能。
CEP02N6G 常用于以下领域:
1. 开关电源中的功率转换电路。
2. 电池管理系统的保护电路。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 负载开关及固态继电器。
5. 工业自动化设备中的功率级控制部分。
IRFZ44N
FDP5800
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