CEG8205是一款NPN型双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于信号放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流增益(hFE)和较低的饱和电压,适合在中低功率电路中使用。
这款晶体管广泛应用于消费电子、工业控制、音频设备等领域,凭借其稳定性和可靠性,成为许多设计工程师的选择。
集电极-发射极电压:30V
集电极电流:1.5A
功率耗散:625mW
直流电流增益(hFE):最小100,典型300
过渡频率:150MHz
存储温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOT-23
CEG8205的主要特性包括:
1. 高电流增益:该晶体管具有较高的直流电流增益(hFE),能够提供稳定的信号放大功能。
2. 快速开关能力:由于其150MHz的过渡频率,它适用于高频开关电路。
3. 低饱和电压:确保了高效率的能量转换,降低功耗。
4. 小型化封装:采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT),节省空间。
5. 广泛的工作温度范围:使其能够在恶劣环境下可靠运行。
CEG8205常用于以下应用场景:
1. 音频放大器中的前置放大级或驱动级。
2. 开关电源中的小信号开关。
3. 各种逻辑电平驱动电路。
4. 消费类电子产品,如电视、音响等中的信号处理部分。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与放大。
CEG8206
2SC2782
MJE185
BC847