类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：8A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220FP

CEF840B具有多项优异的电气特性和物理特性，使其在功率应用中表现出色。首先，该MOSFET的高耐压能力（500V Vds）使其适用于中高压电源系统，确保在复杂工作条件下的稳定运行。其次，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，降低工作温度，从而提升整体可靠性。
　　此外，CEF840B采用先进的封装技术（TO-220FP），具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。该封装形式还提供了机械强度和便于安装的特性，适用于工业级应用环境。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许在不同的控制电路中灵活使用。
　　在动态特性方面，该MOSFET具备快速开关能力，降低开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要续流二极管功能的电路拓扑，如DC-DC转换器和H桥驱动电路。

CEF840B广泛应用于多种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制设备。由于其具备高电压耐受能力和较低的导通损耗，该器件特别适用于需要高效率和高稳定性的中功率开关电路。
　　在开关电源中，CEF840B可用于主开关或同步整流开关，以提高电源转换效率；在电机控制应用中，它可用于H桥结构实现双向驱动；在电池充电器或UPS系统中，它可作为功率开关实现高效能量传输。此外，该器件还可用于LED驱动、电焊机、感应加热等高功率应用领域。

STF8NM50N, FQA8N50C, IRFBC40