CEF07N8 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。CEF07N8 采用 TO-220 封装,具备良好的散热性能,适用于工业级工作温度范围。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):80V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):75A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):0.0075Ω(典型值,Vgs=10V)
功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55℃~175℃
封装形式:TO-220
CEF07N8 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。在 10V 栅极驱动电压下,其 Rds(on) 典型值仅为 0.0075Ω,使得该器件在高电流应用中表现出色。此外,该 MOSFET 采用先进的沟槽栅极结构,优化了电场分布,提高了器件的稳定性和可靠性。
该器件的另一个显著特点是其高电流承载能力,在 Tc=25℃ 条件下可支持高达 75A 的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,其最大功耗为 160W,配合 TO-220 封装的优良散热性能,可以在较高环境温度下稳定工作。
CEF07N8 具有宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 175℃),适用于严苛的工业环境。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也提高了器件在高噪声环境下的抗干扰能力,防止栅极击穿,从而提升系统稳定性。此外,该器件具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
CEF07N8 广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适合高效率、高功率密度的设计。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和电源分配系统等。在服务器电源、通信电源和工业电源设备中,该器件常被用作主开关或同步整流 MOSFET,以提高整体转换效率。
此外,该 MOSFET 也可用于电机控制电路中,如无刷直流电机(BLDC)驱动和电动工具控制系统,其高电流能力和低导通压降有助于提高电机效率并减少发热。在电池供电系统中,如电动自行车、储能系统和不间断电源(UPS),该器件可作为高侧或低侧开关使用,实现高效的能量传输与管理。
由于其良好的热稳定性和抗干扰能力,CEF07N8 还适用于工业自动化设备、测试仪器和电源适配器等对可靠性和效率有较高要求的应用场景。
IRF1405, STP75NF75, FDP070N10