CEF07N8 时间：2025/9/14 8:03:37 阅读：32

CEF07N8 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。CEF07N8 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于工业级工作温度范围。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：75A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.0075Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55℃～175℃
　　封装形式：TO-220

特性

CEF07N8 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。在 10V 栅极驱动电压下，其 Rds(on) 典型值仅为 0.0075Ω，使得该器件在高电流应用中表现出色。此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽栅极结构，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。
　　该器件的另一个显著特点是其高电流承载能力，在 Tc=25℃ 条件下可支持高达 75A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其最大功耗为 160W，配合 TO-220 封装的优良散热性能，可以在较高环境温度下稳定工作。
　　CEF07N8 具有宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 175℃），适用于严苛的工业环境。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也提高了器件在高噪声环境下的抗干扰能力，防止栅极击穿，从而提升系统稳定性。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。

应用

CEF07N8 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合高效率、高功率密度的设计。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和电源分配系统等。在服务器电源、通信电源和工业电源设备中，该器件常被用作主开关或同步整流 MOSFET，以提高整体转换效率。
　　此外，该 MOSFET 也可用于电机控制电路中，如无刷直流电机（BLDC）驱动和电动工具控制系统，其高电流能力和低导通压降有助于提高电机效率并减少发热。在电池供电系统中，如电动自行车、储能系统和不间断电源（UPS），该器件可作为高侧或低侧开关使用，实现高效的能量传输与管理。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，CEF07N8 还适用于工业自动化设备、测试仪器和电源适配器等对可靠性和效率有较高要求的应用场景。