电容值：2.2μF
　　额定电压：25V DC
　　温度特性：X5R
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　尺寸（长×宽）：约2.0mm × 1.2mm（0805英制）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
　　直流偏压特性：典型C下降约40%-60% @ 25V
　　等效串联电阻（ESR）：低（具体值依频率而定）
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥100Ω·μF
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-56标准
　　端子电极：镍阻挡层+锡镀层（Ni/Sn），无铅兼容

CEEMK212F225ZG所采用的X5R型陶瓷介质赋予了它优异的温度稳定性，在-55°C到+85°C的宽温范围内，电容值的变化被控制在±15%以内，这使得其在环境温度波动较大的应用场景中仍能维持稳定的电气性能。相比其他如Y5V等介质材料，X5R在温度稳定性和电容密度之间实现了良好平衡，因此特别适合需要兼顾体积与性能的设计。
　　该电容器具备出色的直流偏压特性，尽管随着施加电压接近额定25V时电容值会有所下降（典型下降幅度为40%-60%），但其初始电容裕量和合理的选型可确保在实际工作电压下仍能满足电路需求。这一特性对于电源去耦尤其重要，因为在动态负载条件下，稳定的阻抗表现有助于抑制电压纹波和噪声。
　　其结构采用多层叠层设计，通过精密丝网印刷技术和高温共烧工艺实现，不仅提高了单位体积内的电容密度，还增强了机械强度和热循环耐久性。内部电极通常使用铜或银钯合金，外电极为镍/锡双层金属化处理，提供良好的焊接可靠性和抗迁移能力，适用于回流焊工艺。
　　此外，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现出色，能够有效滤除开关电源、数字IC供电路径中的高频噪声，提升系统电磁兼容性（EMC）。由于其无磁性材料特性，也不会引入额外的磁场干扰，适用于高精度模拟信号链路中的滤波环节。
　　松下对该系列电容实施严格的质量管控，符合AEC-Q200等可靠性标准的部分等级要求，适用于对长期稳定性有较高要求的工业与车载电子系统。其包装形式通常为卷带编带，便于自动贴片机高效取放，支持大批量自动化生产。

CEEMK212F225ZG广泛应用于各类需要中高压、中容量去耦与滤波功能的电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容常用于DC-DC转换器的输入输出滤波，稳定电源模块供电，降低电压纹波并提升能效。其小尺寸特性非常适合空间受限的高集成度主板设计。
　　在通信基础设施领域，包括基站射频模块、光模块和网络交换设备，该电容器可用于为高速逻辑芯片（如FPGA、ASIC、处理器）提供局部储能和瞬态电流响应，保障数字核心的稳定运行。其低ESR特性有助于抑制因快速开关动作引起的电源轨道塌陷现象。
　　工业控制与自动化系统中，PLC控制器、传感器信号调理电路、电机驱动电源管理单元也大量使用此类电容进行电源去耦和噪声抑制，尤其是在存在电磁干扰（EMI）风险的工厂环境中，其稳定的电气性能有助于提高系统的抗扰度。
　　在汽车电子方面，尽管该型号非专为AEC-Q200完全认证设计，但仍可用于部分车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的非关键电源路径中，前提是工作条件在其规格范围内。其耐温能力和机械坚固性使其能够承受车辆运行过程中的振动与温度循环。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和电源适配器等对可靠性有一定要求的应用中，CEEMK212F225ZG也被用作缓冲电容或平滑滤波元件，以增强整体电源质量。