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CED13N07 发布时间 时间:2025/12/26 19:02:53 查看 阅读:11

CED13N07是一款由华润微电子推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极工艺技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。该器件专为高性能电源管理应用而设计,适用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等场景。其额定电压为70V,连续漏极电流可达13A,能够满足中等功率水平下的高效能需求。CED13N07封装形式通常为TO-252(DPAK)或类似的表面贴装功率封装,具备良好的散热性能,适合在紧凑型电路板设计中使用。由于采用了优化的芯片结构,该MOSFET在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗,从而提升整体系统效率。此外,器件还具备较强的雪崩能量承受能力,提高了在瞬态过压情况下的可靠性。作为国产化替代方案的重要一员,CED13N07在成本控制与供应链安全方面也展现出显著优势,广泛应用于工业控制、消费电子及通信设备等领域。
  该产品的命名规则遵循行业惯例:'C'代表华润微电子(CR Micro),'E'表示MOSFET产品系列,'D'可能指代特定工艺或封装类型,'13'代表典型漏极电流值,'N'表示N沟道,'07'则对应于导通电阻等级或电压规格。这种命名方式有助于用户快速识别关键参数,并与其他厂商的产品进行对标分析。

参数

型号:CED13N07
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):70V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):13A @ 25℃
  脉冲漏极电流(Idm):52A
  导通电阻(Rds(on)):约7.8mΩ @ Vgs=10V, Id=6.5A
  导通电阻(Rds(on)):约10.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=6.5A
  阈值电压(Vth):2.0V ~ 4.0V
  栅极电荷(Qg):约25nC @ Vds=50V, Id=13A
  输入电容(Ciss):约1200pF @ Vds=25V, f=1MHz
  反向恢复时间(trr):约25ns
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  极性:N沟道

特性

CED13N07采用先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计,显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系,使其在中低压大电流应用场景中表现出色。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为7.8mΩ左右,这意味着在高负载条件下可以有效减少功率损耗,提升系统整体能效。同时,在Vgs=4.5V的低驱动电压下仍能保持10.5mΩ的低导通电阻,这使得它兼容3.3V逻辑电平驱动电路,适用于现代低电压控制环境下的高效开关操作。器件的栅极电荷Qg约为25nC,输入电容Ciss约为1200pF,这些参数保证了较快的开关速度和较低的驱动功耗,特别适合高频PWM调制应用如同步整流和DC-DC变换器。
  该MOSFET具备优异的热稳定性和长期可靠性,得益于高质量的封装材料和内部键合工艺,能够在高温环境下长时间稳定运行。其最大工作结温可达+150℃,并支持宽范围的环境温度应用。此外,器件内置体二极管具有较短的反向恢复时间(trr≈25ns),可降低在感性负载切换过程中的反向恢复损耗,避免因反向电流引起的电压尖峰对系统造成损害,从而提高系统的电磁兼容性和安全性。在抗静电能力方面,CED13N07具备一定的ESD防护能力,但仍建议在实际使用中采取适当的保护措施以延长使用寿命。
  从制造角度看,CED13N07基于华润微电子自主知识产权的工艺平台生产,实现了从晶圆制造到封装测试的全流程国产化,不仅保障了供应链的安全可控,也在价格上相比进口同类产品更具竞争力。该器件通过了多项国际标准认证,包括RoHS环保指令和无卤素要求,符合现代绿色电子产品的发展趋势。工程师在设计时可结合其详细的电气特性曲线进行精确建模,利用SPICE模型进行仿真验证,确保电路工作的稳定性与一致性。

应用

CED13N07广泛应用于多种电力电子系统中,尤其适合需要高效、小型化和高可靠性的电源转换场合。在开关模式电源(SMPS)中,该器件常用于初级侧或次级侧的开关元件,特别是在同步整流拓扑中发挥重要作用,能够显著提升转换效率并减少散热需求。在DC-DC降压或升压转换器中,由于其低Rds(on)和快速开关特性,可有效降低传导损耗和开关损耗,适用于服务器电源、笔记本电脑适配器、路由器电源模块等便携式和高密度电源系统。
  在电机驱动领域,CED13N07可用于直流有刷电机的H桥驱动电路或步进电机的相位控制,凭借其高电流承载能力和快速响应能力,能够实现精准的速度调节与启停控制,广泛应用于家电(如风扇、洗衣机)、工业自动化设备和电动工具中。此外,在电池管理系统(BMS)或电源路径管理中,该MOSFET可用作负载开关或隔离开关,实现对供电通路的软启动与过流保护功能。
  通信设备中的板载电源模块也是其典型应用场景之一,例如在基站电源、光模块供电单元中提供稳定的电压转换。由于其封装为TO-252,便于焊接和散热管理,适合自动化贴片生产线使用,提升了整机制造的良率与效率。在新能源领域,如太阳能逆变器的小信号功率级或储能系统的辅助电源中,也可看到该器件的身影。总体而言,CED13N07凭借其综合性能优势,已成为众多中低端功率应用中的主流选择之一,尤其在推动国产元器件替代进口品牌的进程中发挥了积极作用。

替代型号

[
   "CEMT13N07",
   "AON6130",
   "SISS13DN",
   "FDS6680A",
   "IRLR7843"
  ]

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