型号：CED04N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）@max VGS=10V：1.8Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@max VGS=10V, TJ=125°C：2.7Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　栅极电荷（Qg）：47nC @ VGS=10V
　　功耗（PD）：94W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

CED04N65具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是高达650V的漏源击穿电压，使其能够承受瞬态高压冲击，适用于离线式开关电源设计，尤其是在电网电压波动较大的环境中仍可保持可靠工作。该器件的低导通电阻有效降低了导通期间的功率损耗，提升了系统效率，并减少了对散热系统的依赖，有助于实现紧凑型电源模块的设计。此外，其RDS(on)随温度上升的变化曲线较为平缓，意味着在高温工况下仍能维持较好的导电性能，避免因热失控导致的器件损坏。
　　另一个显著特性是其优化的开关行为。CED04N65具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得驱动电路所需的驱动功率较小，控制器可以更轻松地实现快速开关动作，从而降低开关损耗并提高工作频率。这对于高频电源拓扑如LLC谐振变换器或有源功率因数校正（PFC）电路尤为重要。同时，输出电容（Coss）较小也有助于减少关断过程中的能量损耗，进一步提升能效。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常条件下吸收一定的能量而不发生永久性损伤，增强了系统的鲁棒性。其内置的体二极管具有较快的反向恢复速度（trr = 45ns），可在反激或升压拓扑中提供有效的续流路径，减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。
　　从可靠性角度看，CED04N65采用坚固的TO-220封装，具有优良的散热性能和机械强度，适用于多种安装方式。器件通过了严格的工业级测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和湿度敏感等级（MSL）评估，确保在严苛环境下的长期稳定性。此外，产品符合国际环保标准，支持现代自动化贴装工艺，适合大规模生产应用。

CED04N65广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源、小型逆变器、工业控制电源模块以及家用电器中的功率控制单元。由于其650V的高耐压能力，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC ~ 265VAC）的离线式反激转换器设计，作为主开关管使用。在PFC（功率因数校正）升压电路中，该器件也可作为有源开关元件，帮助提升电源系统的功率因数并满足能效法规要求，如Energy Star或IEC 61000-3-2标准。
　　在消费类电子产品中，CED04N65常见于电视、显示器、路由器等设备的内置电源板中，承担直流电压转换与稳压功能。在工业领域，它可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器供电模块和小型伺服驱动器中的DC-DC转换环节。此外，该MOSFET也适用于太阳能微逆变器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及电机驱动电路中的低端开关应用。
　　得益于其良好的热性能和电气特性，CED04N65还可用于高频谐振变换器拓扑，例如LLC半桥或全桥结构，这些应用通常要求器件具备低寄生参数和快速响应能力。同时，其较强的抗浪涌能力和稳定性使其在雷击或电网突波环境下仍能保持安全运行，提高了终端设备的整体可靠性。因此，CED04N65是一款多功能、高性价比的功率MOSFET，适用于对效率、体积和可靠性均有较高要求的应用场景。

STP4NK65ZFP
　　FQP4N65
　　KIA4N65
　　IRFCE40