时间：2025/12/28 12:31:35
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CEB13N07是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Central Semiconductor Corp生产。该器件设计用于高效率、高速开关应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种电源管理和功率转换电路。CEB13N07采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：70V
最大漏极电流（Id）：13A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约35mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
最大功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CEB13N07 MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的栅极结构优化设计，使其具有较高的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。此外，CEB13N07具备较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
由于其低栅极电荷（Qg）特性，CEB13N07可以实现快速的开关转换，减少了开关损耗，提高了系统的整体性能。同时，其较高的击穿电压能力（70V）使得该器件能够适用于多种中等功率应用，如马达驱动、电池充电器、电源管理模块等。
CEB13N07的封装设计（TO-252）使其具备良好的散热性能，便于在PCB上安装和散热管理，适用于自动化焊接工艺。此外，该MOSFET具备较强的抗静电能力，确保在操作和使用过程中不易损坏。
CEB13N07广泛应用于各种电源管理系统和功率转换电路中，包括DC-DC转换器、同步整流器、马达控制模块、电池管理系统、电源负载开关、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高效率和快速开关特性，该器件特别适合用于需要高能效和高可靠性的应用场景。
IRFZ44N, FDPF13N07A, STP13NK07Z, NTD13N07R
