CEB07N65 时间：2025/12/26 20:22:19 阅读：8

CEB07N65是一款由Central Semiconductor Corp生产的高压功率MOSFET晶体管，采用N沟道结构设计，适用于高效率开关电源应用。该器件的额定电压为650V，连续漏极电流可达7A（在25°C条件下），具备较高的功率处理能力，适合在需要高耐压和中等电流的应用场景中使用。CEB07N65采用了先进的平面硅栅极技术，确保了低导通电阻和优异的开关性能，从而有效降低系统功耗并提高整体能效。该MOSFET通常封装于TO-220或TO-247等标准功率封装形式中，便于散热管理与PCB安装，广泛应用于AC-DC转换器、离线式开关电源、LED驱动电源、电机控制以及工业电源系统等领域。由于其具备良好的雪崩能量承受能力和可靠的栅极氧化层设计，CEB07N65能够在恶劣工作环境下稳定运行，具备较强的抗干扰与过压保护能力。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。

参数

型号：CEB07N65
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：650V
　　连续漏极电流(Id)：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.1Ω，最大值1.3Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：约1100pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：约380pF
　　反向恢复时间(trr)：约55ns
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

CEB07N65具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势之一是高击穿电压与适中的导通电阻之间的良好平衡，使其在650V级别的开关电源设计中表现出色。该MOSFET的650V漏源击穿电压确保了在高压输入条件下（如通用输入范围85V~265V AC）的安全裕量，能够有效应对电网波动和瞬态过压情况，提升系统稳定性。器件的导通电阻Rds(on)在10V栅极驱动下最大仅为1.3Ω，这一数值在同类高压MOSFET中处于较优水平，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，尤其适用于连续导通模式（CCM）PFC电路或硬开关反激拓扑。
　　该器件采用优化的晶圆制造工艺，实现了较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而降低了开关过程中的驱动损耗和开关损耗，有利于提升高频开关应用下的整体能效。其输入电容和反向恢复特性经过优化，减少了与体二极管相关的损耗，提升了在连续模式下的可靠性。此外，CEB07N65具备较强的雪崩耐量能力，能够在意外电压过冲或电感负载关断时承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　在热性能方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，配合适当的散热片可有效将结温控制在安全范围内。器件的工作结温高达150°C，并具备负温度系数的漏源导通电阻特性，有利于多管并联时的电流均衡。此外，其栅极氧化层经过严格测试，可承受±30V的栅源电压，避免因驱动电路异常导致的栅极击穿问题。总体而言，CEB07N65是一款兼顾高性能、高可靠性和成本效益的高压MOSFET，适用于多种工业级和消费级电源产品。

应用

CEB07N65广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压隔离和高效能量转换的场合表现优异。典型应用包括离线式反激变换器（Flyback Converter）、有源功率因数校正（PFC）电路、LED恒流驱动电源、充电器与适配器（如笔记本电脑、显示器电源）、家用电器电源模块以及工业控制电源单元。在PFC升压电路中，该MOSFET作为主开关管，能够承受高母线电压并实现高效的能量传递，满足能源之星等能效标准要求。在LED照明驱动中，其高耐压特性支持宽输入电压范围，适用于单级PFC+DC-DC集成设计，简化系统结构。
　　此外，CEB07N65也常用于电机驱动中的辅助电源部分、UPS不间断电源系统、小型逆变器及电池管理系统中的隔离电源模块。由于其具备良好的动态响应能力和热稳定性，特别适合在长时间连续运行、环境温度较高的工业环境中使用。在电磁炉、微波炉等大功率家电的控制电路中，该器件可用于实现高压侧开关控制或继电器驱动电路的电源隔离。同时，得益于其成熟的封装技术和广泛的供应链支持，CEB07N65也成为许多替代维修和国产化升级项目中的优选型号，广泛服务于售后市场和设备改造领域。