类型：肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　最大正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：0.5V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerDFN2510-10L
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：10
　　热阻结至外壳（RθJC）：典型值15°C/W
　　热阻结至环境（RθJA）：典型值60°C/W

CE100F24-10-T的核心特性之一是其低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为0.5V，显著降低了整流过程中的功率损耗，提升了系统整体能效。这一优势源于其采用的肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，避免了传统PN结二极管中的少数载流子储存效应，从而实现快速开关响应和极短的反向恢复时间（通常小于10ns）。此外，该器件具有极低的反向恢复电荷（Qrr），进一步减少了高频开关过程中的能量损耗，使其特别适用于MHz级开关频率的同步整流拓扑。其共阴极双管结构允许两个独立但共享阴极的肖特基二极管集成在一个封装内，节省PCB空间并简化布局布线。
　　另一个重要特性是其优异的热性能设计。PowerDFN2510-10L封装底部带有大面积散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热层，有效降低结温上升幅度。这种设计使得即使在高负载条件下，器件也能维持稳定的电气性能。同时，该封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化贴片工艺，并支持回流焊温度曲线。器件还具备较高的浪涌电流承受能力（IFSM达30A），可在瞬态过载或启动冲击下保持安全运行，增强了系统的鲁棒性。
　　CE100F24-10-T的工作温度范围宽广，从-55°C到+125°C的结温操作能力使其适用于严苛环境下的工业与车载电子应用。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（典型值<1mA @ 125°C），有助于减少待机功耗。此外，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），满足汽车电子对可靠性的严格要求。所有材料均符合无卤素和RoHS标准，体现了绿色环保的设计理念。综合来看，该器件在效率、尺寸、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。

CE100F24-10-T主要应用于需要高效率、小体积和快速响应的电源转换系统中。典型应用场景包括各类DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构中的续流与输出整流二极管。由于其低正向压降和快速开关特性，特别适合用于便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电池供电电源管理系统，以延长续航时间。在服务器和网络通信设备中，该器件常用于多相电压调节模块（VRM）中，作为同步整流MOSFET的辅助二极管或独立整流元件，提升整体转换效率。
　　此外，CE100F24-10-T也广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、USB PD充电器等小型化电源适配装置中，尤其在高频开关模式下表现出色。其共阴极双二极管结构可用于全波整流电路或双路输出整流设计，适用于多通道电源架构。在电机驱动和逆变器系统中，该器件可作为钳位或保护二极管，抑制感性负载产生的反电动势尖峰，防止主开关器件损坏。其高浪涌电流能力和良好的热稳定性也使其适用于工业控制板卡、嵌入式控制器和传感器供电单元中。
　　由于其符合RoHS和无卤要求，CE100F24-10-T还可用于对环保标准有严格要求的医疗设备、测试仪器和汽车电子模块（如车身控制模块、信息娱乐系统电源）中。在光伏微逆变器或能量采集系统中，该器件也可作为防反接二极管使用，防止电池反向放电。总之，凡是在低压、大电流、高频开关环境下需要高效整流功能的应用场合，CE100F24-10-T都是一种性能优越且成本合理的解决方案。

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　　 "SB1030-13-F",
　　 "MBR130-10-G",
　　 "SMS1020CJ-10-T",
　　 "DM1020S-7-F",
　　 "PM1020SCJR-7"
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