时间:2025/12/25 10:55:26
阅读:12
CDZVT2R5.6B是一款由Comchip Technology生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于保护敏感电子设备免受瞬态过电压事件的损害,例如静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应和电源浪涌等。该器件采用先进的平面结技术制造,具有快速响应时间和低钳位电压特性,能够在极短时间内将过电压箝制在安全水平,从而有效防止下游电路受损。CDZVT2R5.6B属于双向TVS二极管,意味着它可以对正负方向的瞬态电压提供对称保护,适用于交流信号线路或可能承受双极性瞬态干扰的应用场景。其标称击穿电压为5.6V,表示在规定的测试条件下,器件开始进入雪崩导通状态的电压值。该型号封装在小型SOD-523(SC-79)封装中,体积小巧,适合高密度贴装的现代电子产品设计,如便携式通信设备、消费类电子产品和工业控制模块。由于其无铅(Pb-free)和符合RoHS环保标准的设计,CDZVT2R5.6B也满足当前全球对绿色电子产品的严格要求。
类型:双向TVS二极管
封装:SOD-523(SC-79)
反向工作电压(VRWM):5.0V
击穿电压(VBR):最小5.6V,最大6.2V(在测试电流IT=1mA下)
峰值脉冲电流(IPP):2.5A(基于8/20μs电流波形)
最大钳位电压(VC):9.2V(在IPP=2.5A时)
峰值脉冲功率(PPPM):200W(短时脉冲)
漏电流(IR):≤1μA(在VRWM=5.0V时)
响应时间:≤1ps(理论上由PN结物理特性决定)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
CDZVT2R5.6B的核心优势在于其卓越的瞬态抑制能力与紧凑的物理尺寸相结合。作为一款双向TVS二极管,它能够同时应对正向和负向的电压突波,使其非常适合用于保护微处理器I/O口、USB数据线、GPIO接口、按键输入端以及其他易受双极性ESD冲击影响的信号路径。该器件的击穿电压稳定且重复性好,在5.6V至6.2V范围内精确可控,确保了系统在正常工作电压附近仍能保持高阻抗状态,不会误触发而影响电路功能。一旦发生超过击穿阈值的瞬态事件,TVS会迅速进入低阻导通模式,将大部分瞬态能量通过自身泄放到地,从而将被保护节点上的电压限制在9.2V以下的安全钳位水平。这种快速动作机制(理论上响应时间小于1皮秒)远快于传统保险丝或热敏电阻,能在纳秒级时间内完成保护动作,避免敏感半导体元件遭受不可逆损伤。
此外,CDZVT2R5.6B具备高达200W的峰值脉冲功率承受能力(依据8/20μs电流波形定义),足以应对大多数日常环境中的ESD事件(如IEC 61000-4-2接触放电±8kV或空气放电±15kV)。其低动态电阻特性有助于进一步降低钳位电压,提升整体保护效率。SOD-523封装不仅节省PCB空间,还具有良好的热性能和焊接可靠性,支持自动化贴片生产流程。器件本身采用无铅工艺制造,符合RoHS和REACH环保指令,并通过AEC-Q101车规级可靠性认证(若适用具体批次),可用于汽车电子等严苛应用环境。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)也保证了在极端气候条件下的长期稳定性与可靠性。
CDZVT2R5.6B广泛应用于各类需要高等级电磁兼容(EMC)防护的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的USB 2.0高速数据线保护,防止用户插拔过程中产生的静电损坏主机芯片;智能手机和平板电脑的触摸屏控制器、音频耳机接口、摄像头模组等高密度集成模块的ESD防护;工业传感器信号输入通道的瞬态抑制,抵御现场电气噪声和感应雷击干扰;以及家用电器中的人机交互面板、遥控接收头等对外接口的保护电路设计。在通信领域,该TVS可用于以太网PHY前端、RS-232/RS-485接口、CAN总线节点等场合,提升系统的抗扰度等级。此外,在汽车电子中,CDZVT2R5.6B可部署于车载信息娱乐系统的外部连接端口、车身控制模块的开关输入检测电路,甚至是电池管理系统(BMS)中的低电压信号采集路径,为其提供可靠的瞬态电压屏障。由于其双向特性,特别适合用于交流耦合信号或差分对线路的共模过压保护。在任何存在人为操作接触或长距离布线可能引入瞬态干扰的节点上,CDZVT2R5.6B都能发挥关键的“最后一道防线”作用,显著提高整机产品的耐用性和市场竞争力。
SMBJ5.0CA
TPSMAJ5.0A
P6KE5.0CA
ESD9L5.0ST5G