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CDZVT2R3.3B 发布时间 时间:2025/12/25 13:42:52 查看 阅读:15

CDZVT2R3.3B是一款由川土微电子(Chipanalog)推出的高精度、低功耗电压基准芯片,属于其高性能模拟产品线中的一员。该器件专为需要稳定参考电压的应用场景设计,广泛应用于数据采集系统、精密测量仪器、工业控制以及便携式设备中。CDZVT2R3.3B采用先进的带隙基准技术,能够在宽温度范围和多种工作条件下提供极其稳定的输出电压。其标称输出电压为2.3V,具有极低的温度漂移系数,典型值可达15ppm/°C,确保在整个工作温度范围内保持高精度性能。该器件支持较宽的供电电压范围,能够兼容3V至5.5V的电源输入,适用于电池供电及固定电源系统。CDZVT2R3.3B还具备出色的长期稳定性与低噪声特性,典型输出噪声仅为30μVRMS(0.1Hz至10Hz),适合对信号完整性要求较高的精密ADC或DAC参考应用。封装方面,该芯片采用SOT-23-3小型化封装,节省PCB空间,便于在紧凑型电路板上布局。
  该器件内部集成了启动电路、偏置电流源和缓冲放大器,确保快速上电响应和低负载调整率。此外,CDZVT2R3.3B具备过温保护和短路保护功能,提升了系统可靠性。其静态电流非常低,典型值仅为4.5μA,特别适合用于低功耗或能量受限的应用场合,如无线传感器节点、物联网终端和可穿戴设备等。由于其优异的精度和稳定性,CDZVT2R3.3B常被用于替代国际品牌同类产品,在国产化替代浪潮中具有重要地位。

参数

型号:CDZVT2R3.3B
  输出电压:2.3V
  初始精度:±0.2%
  温度系数:15ppm/°C(典型)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  供电电压范围:3V 至 5.5V
  静态电流:4.5μA(典型)
  输出噪声:30μVRMS(0.1Hz~10Hz)
  封装形式:SOT-23-3

特性

CDZVT2R3.3B的核心特性之一是其卓越的温度稳定性。该器件通过采用改进型带隙基准结构,有效抑制了传统基准源在高低温环境下输出电压漂移的问题。其温度系数典型值为15ppm/°C,在-40°C至+125°C的整个工业级温度范围内,能够保证输出电压变化极小,满足高精度模数转换系统的参考需求。这种级别的稳定性使其适用于长时间运行且环境温度波动较大的应用场景,例如工业自动化控制系统、车载电子模块以及户外监测设备。此外,该器件经过出厂精密修调,初始精度高达±0.2%,进一步提升了系统的整体测量准确性,减少了后期校准的成本和复杂度。
  另一个显著特点是其超低功耗表现。CDZVT2R3.3B的静态电流仅为4.5μA,远低于许多同类电压基准产品,这使得它非常适合用于由电池供电的便携式或嵌入式系统。在待机或低功耗模式下,该器件仍能维持稳定的参考电压输出,不会因电源波动而影响系统性能。同时,其低噪声特性——典型输出噪声为30μVRMS(0.1Hz至10Hz)——确保了在精密测量链路中不会引入额外的干扰信号,有助于提高ADC的有效位数(ENOB)和信噪比(SNR)。
  CDZVT2R3.3B还具备良好的负载调整率和线性调整率,即使在负载电流轻微变化或输入电压波动的情况下,也能保持输出电压的高度稳定。其输出驱动能力适中,可直接驱动大多数ADC/DAC的参考输入端口。集成的缓冲器提供了低输出阻抗,增强了抗干扰能力。此外,该器件内置保护机制,包括热关断和电流限制,防止异常工况下的损坏,提高了系统鲁棒性。SOT-23-3的小型封装不仅节省空间,也便于自动化贴片生产,符合现代电子产品小型化、集成化的发展趋势。

应用

CDZVT2R3.3B广泛应用于各类需要高精度电压参考的电子系统中。典型应用包括精密数据采集系统,其中作为ADC或DAC的基准电压源,确保模拟信号转换的准确性和重复性。在工业过程控制领域,如PLC模块、温度变送器和压力传感器信号调理电路中,该器件可提供长期稳定的参考电压,提升测量精度和系统可靠性。在便携式医疗设备,如血糖仪、心电图机和手持式分析仪器中,其低功耗与高稳定性结合,延长了电池使用寿命并保障了检测结果的可信度。此外,该芯片也适用于测试与测量仪器、智能仪表、电池管理系统(BMS)以及物联网感知节点等场景。由于其国产化背景和优良性价比,CDZVT2R3.3B正逐步成为国内外客户在替代进口基准源时的重要选择。

替代型号

LM4140AIZ-2.3

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CDZVT2R3.3B参数

  • 现有数量38,807现货
  • 价格1 : ¥2.15000剪切带(CT)8,000 : ¥0.32754卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.3 V
  • 容差-
  • 功率 - 最大值100 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)120 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏20 μA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳2-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装VMN2M