您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CDZT2RA6.2B

CDZT2RA6.2B 发布时间 时间:2025/11/8 9:11:13 查看 阅读:7

CDZT2RA6.2B是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装硅齐纳二极管,采用SOD-323封装。该器件设计用于提供精确且稳定的参考电压,在各种电子电路中用作电压调节和保护元件。其标称齐纳电压为6.2V,属于中等电压范围的齐纳二极管,具有较低的动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于需要高精度电压基准的应用场景。CDZT2RA6.2B能够在较小的封装内实现高效的散热性能,并支持较高的功率耗散能力(通常可达200mW),适合在空间受限的便携式设备中使用。
  该器件符合RoHS环保标准,具备无铅(Pb-free)和无卤素(Halogen-free)特性,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其紧凑的SOD-323封装形式,CDZT2RA6.2B非常适合用于高密度PCB布局设计,广泛应用于消费类电子、通信设备、工业控制以及电源管理系统等领域。此外,该型号还具有快速响应时间和良好的长期稳定性,能够有效抑制瞬态过压事件,提高系统可靠性。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/外壳:SOD-323
  齐纳电压(Vz):6.2V @ 5mA
  容差:±5%
  最大功耗:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  测试电流(Iz):5mA
  最大反向漏电流:1μA @ 额定电压的75%
  动态阻抗(Zzt):10Ω @ 5mA
  温度系数:+2mV/°C(典型值)

特性

CDZT2RA6.2B齐纳二极管的核心优势在于其优异的电气性能与热稳定性。该器件在6.2V的工作电压下表现出最低的动态阻抗之一,这使得它在负载变化时仍能维持输出电压的高度稳定,是构建精密电压参考源的理想选择。相较于低电压或高电压齐纳管,6.2V附近的齐纳击穿机制主要依赖于齐纳效应与雪崩效应的平衡点,因此具有最小的温度漂移,从而显著提升了温度系数表现。这一特性使其在宽温环境下依然能够保持出色的电压稳定性,特别适用于工业级和汽车级应用。
  该器件采用先进的芯片制造工艺,确保了批次间的一致性和长期可靠性。SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间,而且具备良好的热传导性能,能够在有限的空间内有效散发热量,避免因局部过热导致的性能下降或失效。同时,该封装形式支持自动化贴片生产,提高了组装效率并降低了制造成本。
  CDZT2RA6.2B具备较强的抗浪涌能力和快速响应特性,可用于电路中的瞬态电压抑制(TVS)辅助功能,尤其在信号线保护、电源轨钳位等方面发挥重要作用。其低反向漏电流特性也有助于降低待机功耗,提升整体系统的能效水平,适合电池供电设备使用。
  此外,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温储存寿命试验(HTSL)、温度循环测试(TC)和湿度敏感度等级(MSL=1)认证,保证在恶劣环境下的长期稳定运行。

应用

CDZT2RA6.2B广泛应用于需要稳定参考电压的模拟和数字电路中,如电压基准源、电源稳压电路、反馈控制系统、ADC/DAC偏置电路等。也可用于过压保护、ESD防护、信号电平转换以及嵌入式系统的电源监控模块。常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、IoT终端、传感器接口电路及工业自动化设备中。

替代型号

MMBZ5231B-7-F,MMSZ5231B-7-F,UDZS6.2B,PMEZ5231BA

CDZT2RA6.2B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CDZT2RA6.2B资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CDZT2RA6.2B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格8,000 : ¥0.66817卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)6.2 V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大值100 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)60 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 3 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳2-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装VMN2