时间:2025/12/25 10:33:12
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CDZT2R5.1B是一款由中央亚半导体(Central Semiconductor)生产的表面贴装齐纳二极管,其标称齐纳电压为5.1V,适用于多种稳压和电压参考应用场景。该器件采用SOD-323封装,具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点,广泛用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调理电路以及过压保护电路中。CDZT2R5.1B的命名遵循行业通用规则:'CDZ'代表齐纳二极管产品系列,'T2'表示特定的电流或功率等级,'5.1'对应其标称齐纳电压值,'B'通常表示电压容差等级(一般为±2%或±5%)。该器件工作在临界导通状态时可提供稳定的参考电压,且在规定的电流范围内保持较低的动态阻抗,确保输出电压波动最小化。此外,SOD-323封装具备良好的热稳定性和机械强度,适合自动化贴片生产工艺,满足现代电子产品对高密度集成和小型化设计的需求。
类型:齐纳二极管
封装/外壳:SOD-323
标称齐纳电压:5.1 V
齐纳电压容差:±5%
测试电流 (IZT):20 mA
最大齐纳阻抗 (Zzt):10 Ω
最大反向漏电流 (IR):1 μA
最大功耗 (Ptot):200 mW
工作结温范围:-65°C ~ +150°C
峰值脉冲功率:350 W
配置:单路
CDZT2R5.1B齐纳二极管的核心特性在于其优异的电压稳定性能和紧凑的表面贴装封装设计。该器件在额定测试电流20mA下,能够提供精确的5.1V齐纳击穿电压,并在其工作电流范围内维持较低的动态阻抗(最大10Ω),这意味着当负载或输入电压发生波动时,输出电压的变化极小,从而保证了系统供电或参考电平的高精度与低噪声表现。其±5%的电压容差在同类低成本器件中属于合理范围,适用于大多数对精度要求适中的稳压应用;若需更高精度版本,可通过筛选或选用其他型号实现。该器件的最大功耗为200mW,在自然散热条件下即可满足常规应用需求,同时支持高达350W的峰值脉冲功率,使其具备一定的瞬态过压承受能力,可用于抑制短时浪涌或ESD事件。
采用SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间,还提升了组装效率,特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网模块等高度集成的产品。该封装具有良好的热传导性能,能够在-65°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行,适应严苛的工作环境。此外,CDZT2R5.1B的反向漏电流极低(典型值小于1μA),在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外能量,有助于提升系统的整体能效。其快速响应特性也使其可用于高速信号箝位或逻辑电平转换电路中,防止因电压漂移导致误触发。综合来看,CDZT2R5.1B是一款性价比高、通用性强的稳压元件,兼顾性能、尺寸与成本,是现代电子设计中常用的电压基准解决方案之一。
CDZT2R5.1B广泛应用于各类需要稳定参考电压或进行电压箝位的电子电路中。常见用途包括低压直流电源的稳压输出,例如在LDO前后级滤波与辅助稳压、电池供电设备的电压校准、ADC/DAC参考源构建等场景中发挥关键作用。由于其响应速度快且封装小巧,也被大量用于通信接口(如USB、I2C、RS-232)的静电放电(ESD)保护和过压箝位,防止敏感芯片受到瞬态高压损伤。此外,在传感器信号调理电路中,该器件可作为偏置电压源或限幅器使用,提高信号链的抗干扰能力。在消费类电子产品如智能手环、无线耳机、智能家居控制器中,CDZT2R5.1B因其小型化优势被广泛采用。工业控制领域中,它可用于PLC模块、数据采集单元中的电压监测与保护电路。汽车电子中的非动力系统(如车载信息娱乐系统、车内照明控制)也可采用此类器件实现局部稳压功能。总之,凡是对空间、功耗和成本有较高要求,同时需要中等精度稳压功能的应用场合,CDZT2R5.1B均是一个理想选择。
MMBZ5228B
PZM5.1B
SZMM3Z5V1B
BZT52C5V1