CDV30EK390J03F 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号属于垂直沟槽结构的MOSFET系列,主要针对中高电压应用设计,能够在高频条件下提供卓越的性能表现。
型号:CDV30EK390J03F
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):280W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C至+175°C
CDV30EK390J03F 具有以下突出特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低导通损耗,从而提升系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用,减少了开关损耗。
3. 高击穿电压 (Vds),适用于高压场景,保证了可靠性和安全性。
4. 出色的热性能,具备更高的功率密度和更长的使用寿命。
5. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计,满足现代电子产品的绿色要求。
7. 支持多种拓扑结构,包括硬开关和软开关应用。
CDV30EK390J03F 的主要应用领域包括:
1. 开关电源 (SMPS),如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动和变频器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. DC-DC转换器,用于电动汽车和通信设备。
5. LED照明驱动电路。
6. 高压工业控制设备,如焊接机、UPS不间断电源等。
其高效能和高可靠性使其成为这些应用的理想选择。
IRFP260N
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