CDS3C16GTH 时间：2025/6/3 22:37:18 阅读：26

C高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的沟槽式结构设计。这种MOSFET主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而在高频开关条件下能够显著降低功率损耗。

参数

型号：CDS3C16GTH
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：58A
　　导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ
　　栅极电荷(Qg)：49nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：TO-247

特性

CDS3C16GTH的主要特点是其低导通电阻(1.6mΩ)，这使得它非常适合用于需要高效率的应用场景。同时，这款MOSFET还具备良好的热性能，可以承受较大的电流负载而不易过热。此外，它的栅极电荷较小，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
　　该器件还具有较强的鲁棒性，在极端工作环境下（如高温或高压）也能保持稳定性能。其优异的雪崩击穿能力和短路耐受能力进一步增强了其可靠性。

应用

CDS3C16GTH广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　- 开关电源(SMPS)
　　- 电机驱动与控制
　　- DC-DC转换器
　　- 逆变器
　　- 太阳能微逆变器
　　- 工业自动化系统中的功率控制模块
　　- 汽车电子中的直流电机驱动
　　由于其高效能和高可靠性，这款MOSFET特别适合要求高功率密度和节能的应用场合。