CDS3C05GTA是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频和高效率应用设计。它采用增强型GaN HEMT结构,具有低导通电阻、高开关速度和高击穿电压等特性。这种器件适用于电信电源、数据中心电源、适配器、无线充电器以及其他需要高性能功率转换的场景。
型号:CDS3C05GTA
类型:GaN 功率晶体管
漏源极击穿电压:650V
导通电阻:45mΩ(典型值)
栅极电荷:8nC(最大值)
连续漏极电流:12A
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CDS3C05GTA具备出色的高频性能和低损耗特性,主要体现在以下方面:
1. 高击穿电压确保其在高压应用场景中的可靠性。
2. 极低的导通电阻能够显著减少导通损耗,从而提升整体系统效率。
3. 快速开关能力使其非常适合高频开关应用,如硬开关或软开关拓扑。
4. 内置ESD保护功能增强了器件的鲁棒性。
5. 封装设计优化了散热性能,有助于维持长时间稳定运行。
这些特点使得CDS3C05GTA成为现代功率转换设备的理想选择。
该芯片广泛应用于各类功率电子领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器和工业电源。
3. 电动车充电设备及无线充电解决方案。
4. LED驱动器和太阳能微型逆变器。
5. 各种高效率、高密度功率转换电路。
CDS3C05GTA的高频和高效特性使其特别适合追求小型化和高性能的设计。
CSD19531KTT, GaN063-650WSA